The EPM method has played an import

The EPM method has played an important role in understanding electronic structure,
especially for the sp-bonded metals and semiconductors. As an example, Fig. 12.2 shows
the bands of GaAs measured [214] by photoemission spectroscopy are compared with EPM F
bands calculated [215] many years before. The agreement with the photoemission data is f`
nearly perfect for this non—local pseudopotential that was adjusted to ftt the band gaps, T;
effective masses, and optical spectra [470]. Comparison of Fig. 12.2 with Fig. 2.25 shows
the agreement with inverse photoemission and recent many-body calculations, and the fact l
that the adjusted EPM provides a better description of the bands than do LDA calculations. x
The pseudocharge density has been calculated for many materials [470]: as illustrated in
Fig. 12.3, the results show the basic features of the chemical bonding and the nature of c
individual states. Thus the EPM plays two important roles: z
• On a fundamental level, the EPM provides stimulus for the development of independent- 1
particle band methods for solids because of its success in describing many different ‘
experiments within a single independent-particle theory.
• On a practical level, the EPM approach continues to be important because it allows bands A
of many important materials to be described using a few parameters, namely the first few A
Fourier components of the potential, Eq. (12.20).
The method is more than just a Htting procedure if one makes the approximation that the
total potential is a sum of spherical potentials that have analytic farm and are transferable
between dgjferent structures. Although this is an approximation, it has been tested in many
cases and, at least, provides semiquantitative results. With the assumption of transferability,
the EPM method can readily be applied to calculations for many structures and for properties

F12.3

Figure 12.3. Theoretical calculations of the valence charge density of semiconductors showing the
formation of the covalent bond and the progression to more ionic character in the series Ge, GaAs,
and ZnSe. The results have the same basic features as full self-consistent calculations such as that
for Si in Fig. 2.2. From [105].

Kết quả (Việt) 1:

Phương pháp EPM đã đóng một vai trò quan trọng trong sự hiểu biết cấu trúc điện tử,đặc biệt là cho các sp ngoại quan kim loại và chất bán dẫn. Ví dụ, hình 12.2 cho thấycác ban nhạc của GaAs đo [214] bởi photoemission phổ được so sánh với EPM FBan nhạc tính [215] nhiều năm trước. Các thỏa thuận với các dữ liệu photoemission là f'gần như hoàn hảo cho việc này không — pseudopotential địa phương đã điều chỉnh để ftt khoảng trống ban nhạc, T;khối lượng hiệu quả, và quang phổ [470]. So sánh các hình 12.2 với hình 2,25 cho thấythỏa thuận với nghịch đảo photoemission và tại nhiều cơ thể tính toán, và thực tế lrằng điều chỉnh EPM cung cấp một mô tả tốt hơn của các ban nhạc hơn tính toán cấp LDA cải. xMật độ pseudocharge được tính toán cho rất nhiều vật liệu [470]: như minh họa trongHình 12.3, kết quả cho thấy các tính năng cơ bản của hóa học liên kết và tính chất của ctừng tiểu bang. Do đó EPM đóng vai trò quan trọng hai: z• Trên một mức độ cơ bản, EPM cung cấp kích thích cho sự phát triển của độc lập-1hạt ban nhạc phương pháp cho các chất rắn vì thành công trong việc miêu tả nhiều khác nhau 'thử nghiệm trong vòng một lý thuyết hạt độc lập duy nhất. • Trên một mức độ thực tế, phương pháp tiếp cận EPM tiếp tục là quan trọng vì nó cho phép ban nhạc Acủa nhiều tài liệu quan trọng để được mô tả bằng cách sử dụng một vài tham số, cụ thể là đầu tiên vài AFourier các thành phần của các tiềm năng, Eq. (12,20).Phương pháp này là nhiều hơn chỉ là một thủ tục Htting nếu một trong những làm cho xấp xỉ cácTất cả tiềm năng là một tổng của hình cầu tiềm năng mà có phân tích trang trại và được chuyển nhượnggiữa cấu trúc dgjferent. Mặc dù đây là một xấp xỉ, nó đã được thử nghiệm trong nhiềutrường hợp, và ít nhất, cung cấp kết quả semiquantitative. Với giả định của chuyển nhượng,phương pháp EPM dễ dàng có thể được áp dụng để tính toán cho nhiều cấu trúc và tính chấtF12.3Con số 12.3. Các tính toán lý thuyết của hóa trị phí mật độ của chất bán dẫn Hiển thị cáchình thành của các trái phiếu liên và tiến triển để thêm ion nhân vật trong loạt Ge, GaAs,và ZnSe. Kết quả có cùng các tính năng cơ bản như các tính toán đầy đủ các tự phù hợp chẳng hạn nhưcho Si trong hình 2.2. Từ [105].

Kết quả (Việt) 2:

Phương pháp EPM đã đóng một vai trò quan trọng trong cấu trúc điện tử hiểu biết,
đặc biệt là đối với các kim loại sp-ngoại quan và chất bán dẫn. Như một ví dụ, hình. 12.2 cho thấy
các ban nhạc của GaAs đo [214] bởi phát xạ quang phổ được so sánh với EPM F
ban nhạc tính [215] nhiều năm trước. Các thỏa thuận với các dữ liệu photoemission là f`
gần như hoàn hảo cho pseudopotential này không địa phương đã được điều chỉnh để FTT những khoảng trống ban nhạc, T;
quần chúng có hiệu quả, và phổ quang học [470]. So sánh hình. 12.2 với hình. 2.25 cho thấy
sự thỏa thuận với photoemission nghịch đảo và tính toán nhiều vật thể gần đây, và l thực tế
rằng EPM điều chỉnh cung cấp một mô tả tốt hơn trong những ban nhạc hơn làm các phép tính LDA. x
Mật độ pseudocharge đã được tính toán cho nhiều vật liệu [470]: như minh họa trong
hình. 12.3, kết quả cho thấy các tính năng cơ bản của các liên kết hóa học và tính chất của c
quốc gia riêng lẻ. Do đó, EPM đóng hai vai trò quan trọng: z
• Trên một mức độ cơ bản, các EPM cung cấp kích thích cho sự phát triển của toán độc lập 1
ban nhạc phương pháp hạt chất rắn vì sự thành công của nó trong việc mô tả nhiều 'khác nhau
thí nghiệm trong một nguyên lý độc lập hạt duy nhất.
• Trên thực tế, các phương pháp tiếp cận EPM tiếp tục là quan trọng bởi vì nó cho phép các ban nhạc A
của nhiều tài liệu quan trọng được mô tả bằng một vài thông số, cụ thể là trong vài lần đầu tiên Một
thành phần Fourier của các tiềm năng, Eq. (12.20).
Phương pháp này là nhiều hơn chỉ là một thủ tục Htting nếu ai làm cho xấp xỉ rằng
tổng tiềm năng là một khoản tiềm năng hình cầu có trang trại phân tích và có thể chuyển giao
giữa các cấu trúc dgjferent. Mặc dù đây là một xấp xỉ, nó đã được thử nghiệm trong nhiều
trường hợp và, ít nhất, cung cấp kết quả bán định lượng. Với giả định về liên thông,
các phương pháp EPM dễ dàng có thể được áp dụng để tính toán cho nhiều cấu trúc và các tài sản F12.3 Hình 12.3. Tính toán lý thuyết của mật độ điện hóa trị của các chất bán dẫn hiển thị hình thành liên kết cộng hóa trị và tiến triển thành nhân vật ion hơn trong loạt Ge, GaAs, và ZnSe. Các kết quả có các tính năng cơ bản cũng giống như tự quán tính toán đầy đủ như đó cho Si trong hình. 2.2. Từ [105].