VSSC begins to rise by the cell lea

VSSC begins to rise by the cell leakage. When VSSC level reaches the threshold voltage of the diodeconnected nMOS clamp transistor, N2, it turns on and VSSC is clamped at the level of its threshold voltage. Consequently, as shown in Fig. 3(b), the cell bias is determined as follows:

Kết quả (Việt) 1:

VSSC bắt đầu tăng lên bởi sự rò rỉ điện. Khi VSSC mức đạt ngưỡng điện áp của diodeconnected nMOS kẹp bóng bán dẫn, N2, nó chỉ và VSSC kẹp ở cấp điện áp ngưỡng của nó. Do đó, như minh hoạ trong hình 3(b), xu hướng di động được xác định như sau:

Kết quả (Việt) 2:

VSSC bắt đầu tăng do sự rò rỉ của tế bào. Khi mức VSSC đạt đến ngưỡng điện thế của transistor nMOS kẹp diodeconnected, N2, nó quay về và VSSC được kẹp ở mức điện áp ngưỡng của nó. Do đó, như thể hiện trong hình. 3 (b), sự thiên vị tế bào được xác định như sau: