The magnetic heat capacity in the f

The magnetic heat capacity in the form of Cm/T exhibits a maximum and substantially decreases at low temperatures, suggesting the energy gap opening in the heavy quasiparticle band [330]. A broad maximum about 113 K seen in the magnetic susceptibility data, which suggests valence fluctuation in Ce of this compound [331]. Malik et al. [332] reported that ΔC/T (ΔC =magnetic heat capacity) shows a maximum at 10 K (Tmax) and is linear below it. The linear nature of ΔC/T below 10 K, which is the gapped state, is attributed to the decrease in electronic DOS with decrease in temperature [332].
In CeRhBi, the analysis of heat capacity data provides large γ, which is 500 mJ/mol K2 and reveals heavy fermion behavior of this system [333]. Occurance of magnetic ordering and gap formation in CeRhBi compound has been ruled out by electrical resistivity and 209Bi- NQR measurements [333]. The magnetic susceptibility data obeys Curie Weiss law above 70 K, while the susceptibility is temperature independent up to 250 K in CeRhAs [333]. It has been observed that suppression of gap in CeRhAs take place on the application of external pressure, which may be due to the opposite effect of chemical and the external pressure on the gap size [333]. In addition to this, CeRhAs shows mixed valent semiconductor behavior with an energy gap of 144 K, which is much larger than that of CeRhSb [333].

Kết quả (Việt) 2:

Nhiệt dung từ tính trong các hình thức của Cm / T thể hiện tối đa và giảm đáng kể ở nhiệt độ thấp, cho thấy việc mở khe năng lượng trong ban nhạc quasiparticle nặng [330]. Một tối đa rộng khoảng 113 K thấy trong dữ liệu nhạy cảm từ, điều này cho thấy sự biến động hóa trị trong Ce của hợp chất này [331]. Malik et al. [332] đã báo cáo rằng ΔC / T (ΔC = nhiệt dung từ) cho tối đa ở 10 K (Tmax) và là tuyến tính dưới nó. Các tính chất tuyến tính của ΔC / T dưới 10 K, đó là trạng thái gapped, là do sự sụt giảm trong DOS điện tử với giảm nhiệt độ [332].
Trong CeRhBi, phân tích các dữ liệu nhiệt dung cung cấp γ lớn, đó là 500 mJ / mol K2 và tiết lộ hành vi fermion nặng của hệ thống này [333]. Sự kiện xảy ra trong trật tự từ và hình thành khoảng cách trong hợp chất CeRhBi đã được loại trừ bởi điện trở và đo 209Bi- NQR [333]. Các dữ liệu nhạy cảm từ tuân theo pháp luật Curie Weiss trên 70 K, trong khi sự nhạy cảm là nhiệt độ độc lập lên đến 250 K trong CeRhAs [333]. Nó đã được quan sát thấy rằng sự đàn áp của khoảng trống trong CeRhAs diễn ra trên các ứng dụng của áp lực bên ngoài, đó có thể là do tác dụng ngược của hóa chất và các áp lực bên ngoài vào kích thước khoảng cách [333]. Thêm vào đó, CeRhAs cho thấy hành vi valent bán dẫn hỗn hợp với một khoảng cách năng lượng của 144 K, mà là lớn hơn nhiều so với CeRhSb [333].