As the source potential rises above the bulk (substrate) potential (represented by VSB in the figure), electrons are attracted towards the positive terminal of VSB from the MOSFET's channe
Như là nguồn tiềm năng tăng trên phần lớn (bề mặt) tiềm năng (đại diện bởi thể trong hình), điện tử đang thu hút về phía nhà ga thể tích cực từ của MOSFET channe
Như tiềm năng của nguồn tăng trên số lượng lớn (chất nền) tiềm năng (đại diện bởi VSB trong hình), các electron được thu hút đối với các thiết bị đầu cuối tích cực của VSB từ channe của MOSFET