large coupling capacitors, such as

large coupling capacitors, such as those we employed in Chapters 4 and 5 . 5 The frequency
response of these direct-coupled or d c amplifiers takes the general form shown in Fig. 6.12,
from which we note that the gain remains constant at its midband value AM down to zero
frequency (dc). That is, compared to the capacitively coupled amplifiers that utilize bypass
capacitors (Sections 4.9 and 5.9), direct-coupled IC amplifiers do not suffer gain reduction
at low frequencies. The gain, however, falls off at the high-frequency end due to the internal
capacitances of the transistor. These capacitances, which are included in the high-frequency
device models in Table 6.3, represent the charge storage phenomena that take place inside
the transistors.

Kết quả (Việt) 1:

lớn bộ tụ điện, chẳng hạn như những người chúng tôi sử dụng trong chương 4 và 5. Tần số 5phản ứng của các bộ khuếch đại kết hợp trực tiếp hoặc d c có dạng tổng quát Hiển thị trong hình 6,12,từ đó, chúng tôi lưu ý rằng việc đạt được vẫn còn liên tục tại các giá trị midband AM xuống khôngtần số (dc). Đó là, so với các bộ khuếch đại capacitively cùng sử dụng bỏ quatụ điện (phần 4.9 và 5.9), trực tiếp cùng IC khuếch đại không bị tăng giảmtại tần số thấp. Đạt được, Tuy nhiên, rơi khỏi ở tần số cao cuối do nội bộcapacitances của transistor. Các capacitances, được bao gồm trong tần số caođiện thoại mô hình trong bảng 6.3, đại diện cho các lưu trữ phí hiện tượng mất nơi bên trongbóng bán dẫn.

Kết quả (Việt) 2:

tụ coupling lớn, chẳng hạn như những người chúng ta sử dụng trong các chương 4 và 5. 5 Tần số
đáp ứng của các bộ khuếch đại ghép trực tiếp hoặc dc có dạng tổng quát trong hình. 6.12,
từ đó chúng ta lưu ý rằng mức tăng vẫn không đổi theo giá trị của nó midband AM xuống không
tần số (dc). Đó là, so với bộ khuếch đại capacitively cốt liền mà sử dụng bỏ qua
tụ điện (Phần 4.9 và 5.9), bộ khuếch đại ghép trực tiếp IC không bị giảm tăng
ở tần số thấp. Việc đạt được, tuy nhiên, rơi xuống vào cuối tần số cao do nội
dung của các bóng bán dẫn. Những điện dung, mà được bao gồm trong các tần số cao
mô hình thiết bị trong Bảng 6.3, đại diện cho hiện tượng lưu trữ phí diễn ra bên trong
các bóng bán dẫn.