Flash program and data EEPROM memor

Flash program and data EEPROM memory
• 8 Kbyte of high density Flash program single voltage Flash memory
• 128 byte true data EEPROM
• User option byte area
Write protection (WP)
Write protection of Flash program memory and data EEPROM is provided to avoid
unintentional overwriting of memory that could result from a user software malfunction.
There are two levels of write protection. The first level is known as MASS (memory access
security system). MASS is always enabled and protects the main Flash program memory,
data EEPROM and option bytes.
To perform in-application programming (IAP), this write protection can be removed by
writing a MASS key sequence in a control register. This allows the application to write to
data EEPROM, modify the contents of main program memory or the device option bytes.
A second level of write protection, can be enabled to further protect a specific area of
memory known as UBC (user boot code). Refer to Figure 2.
The size of the UBC is programmable through the UBC option byte (Table 13), in increments
of 1 page (64-byte block) by programming the UBC option byte in ICP mode.

Kết quả (Việt) 1:

Chương trình và dữ liệu bộ nhớ EEPROM Flash• 8 Kbyte mật độ cao chương trình Flash đơn điện áp bộ nhớ Flash• 128 byte dữ liệu đúng EEPROM• Diện tích sử dụng tùy chọn byteViết bảo vệ (WP)Viết bảo vệ dữ liệu và chương trình Flash bộ nhớ EEPROM được cung cấp để tránhghi đè lên không chủ ý của bộ nhớ có thể là kết quả của một sự cố phần mềm người sử dụng.Không có hai cấp độ bảo vệ chống ghi. Mức độ đầu tiên được gọi là khối lượng (bộ nhớ truy cậpHệ thống an ninh). Khối lượng luôn luôn được kích hoạt và bộ nhớ Flash chính của chương trình, bảo vệdữ liệu EEPROM và tùy chọn byte.Để thực hiện lập trình trong ứng dụng (IAP), bảo vệ chống ghi này có thể được gỡ bỏ bởibằng văn bản một khối lượng quan trọng trình tự trong một thanh ghi điều khiển. Điều này cho phép các ứng dụng để viết thư chodữ liệu EEPROM, sửa đổi nội dung của bộ nhớ chính của chương trình hoặc thiết bị tùy chọn byte.Cấp bảo vệ chống ghi, có thể được kích hoạt để tiếp tục bảo vệ một khu vực cụ thể củabộ nhớ được gọi là UBC (người dùng khởi động code). Tham khảo hình 2.Kích thước của UBC là lập trình thông qua các UBC tùy chọn byte (13 bàn), trong từng bước1 trang (64 byte khối) bằng cách lập trình UBC byte lựa chọn trong chế độ ICP.

Kết quả (Việt) 2:

Chương trình Flash và bộ nhớ EEPROM dữ liệu
• 8 Kbyte mật độ cao chương trình Flash đơn điện áp bộ nhớ Flash
• 128 byte EEPROM dữ liệu đúng
• Diện tích tùy chọn tài byte
Viết bảo vệ (WP)
Viết bảo vệ của Flash bộ nhớ chương trình và dữ liệu EEPROM được cung cấp để tránh
ghi đè không chủ ý của bộ nhớ có thể là kết quả của một trục trặc phần mềm sử dụng.
có hai mức độ bảo vệ ghi. Mức đầu tiên được biết đến như MASS (bộ nhớ truy cập
hệ thống an ninh). MASS luôn được kích hoạt và bảo vệ bộ nhớ chương trình Flash, chính
EEPROM dữ liệu và tùy chọn byte.
Để thực hiện chương trình trong ứng dụng (IAP), bảo vệ ghi này có thể được loại bỏ bằng cách
viết một dãy phím MASS trong một đăng ký kiểm soát. Điều này cho phép ứng dụng ghi vào
dữ liệu EEPROM, sửa đổi các nội dung của bộ nhớ chương trình chính hoặc các byte tùy chọn thiết bị.
Một mức độ bảo vệ thứ hai ghi, có thể được kích hoạt để bảo vệ một khu vực cụ thể của
bộ nhớ được gọi là UBC (mã khởi động người dùng). Tham khảo Hình 2.
Kích thước của UBC được lập trình thông qua các tùy chọn UBC byte (Bảng 13), trong gia số
1 trang (khối 64-byte) bằng cách lập trình tùy chọn byte UBC trong chế độ ICP.