III. DISCUSSIONThe reduction of LaN

III. DISCUSSION
The reduction of LaNiO3 changes the valence state and O
coordination of Ni ions. These changes must modify the
band structure of the different compounds of the LaNiO32x
series. As LaNiO3 is a charge-transfer metal,19 the conductivity
properties of LaNiO32x should be determined by the
interplay between the bandwidth and energy gaps of the O
and Ni bands, as sketched in Fig. 5. For LaNiO3, D!Ueff ,
where D is the gap between 2p-O and 3d8-Ni bands, and
Ueff is the gap between the Ni bands 3d8 and 3d7.
20,21 On
the other side, for LaNiO2.5 , Ueff!D, and the Fermi level
should be between the 3d9 and 3d8 bands ~see Fig. 5!. Similar
to NiO or La 2NiO4,
21 LaNiO2.50 is an insulator and antiferromagnetic.
On going from LaNiO3 to LaNiO2.5 , an
enlargement of the cell volume is observed,2 attributed to the
increase in the average ionic radius of Ni (r50.60 for
Ni 31 and r50.69 for Ni 21). As the Ni-O distance increases,
the electronic transfer parameter t and the bandwidth (W
}t) diminish. Electron localization then takes place. The localization
may also be favored for a decreasing state density
as a consequence of the O vacancies produced in the neighborhood
of the Ni ions. In the reduced samples these are two
different sites for the Ni 21 ion: sites with six oxygen ion
nearest neighbors in an octahedral (Oh) symmetry, and sites
with four oxygen nearest neighbors in a squared plane
(D4h) symmetry. The electronic band with eg character
splits into a1g and b1g bands for octahedral and squared
plane environments, respectively.
In the x50.25 sample, where the oxygen vacancies are
ordered, a sign change of ds/dT occurs at 75 K, which
could be explained by a T-dependent bandwidth W(T). The
electrical conductivity can be described by a power law
(s5s01aT1/3) below 75 K. Above 75 K a metallic s is
observed with a slope change at 220 K, coincident with
Tb , the characteristic temperature where some degree of
magnetic ordering seems to be present. This behavior can be
compared with changes in the conductivity observed in ferromagnetic
metal oxides because of the electron-magnon
scattering.22
Finally, we find that the absence of the last step of annealing
at 400 °C modifies the magnetic and electrical conductivity
properties of the x50.25 samples. In LaNiO2.75j we
have observed the following: ~i! a Curie-Weiss T dependence
of x at higher temperatures, ~ii! a sign change of
ds/dT, ~iii! a diminishing in the conductivity for all temperatures,
and ~iv! in all the experimental T range,
s(x50.25j and T) can be described with a two-channel
model: metallic plus VRH mechanisms. These two parallel
electrical resistivity channels can originate in the inhomogeneities
of the unannealed sample. This behavior is interpreted
as the presence of threads or islands in metallic contact, rich
in oxygen, imbedded in an insulator medium rich in oxygen
vacancies. It is noticeable the p. 1
4 in the second term of Eq.
~2.2! may be indicating the presence of localized states for
which s is described by Mott’s formula. A poor conductivity
is expected if the system has an oxygen vacancy disorder,
and would present a lower s than the case with an oxygen
vacancy order. Further studies of the enhancement of the
specific-heat coefficient g in LaNiO32x , with x50.25 and
0.5, are necessary for a full theoretical description of the
system.

Kết quả (Việt) 1:

III. THẢO LUẬNGiảm LaNiO3 thay đổi trạng thái hóa trị và Osự phối hợp của các ion Ni. Những thay đổi này phải sửa đổi cáccấu trúc của các hợp chất khác nhau của LaNiO32xhàng loạt. Như LaNiO3 là một kim loại chuyển tiếp phí, 19 độ dẫn điệnthuộc tính của LaNiO32x nên được xác định bởi cáchổ tương tác dụng giữa những khoảng trống băng thông và năng lượng của Ovà ban nhạc Ni, như phác thảo trong hình 5. Cho LaNiO3, D! Ueff,trong trường hợp D là khoảng cách giữa 2p-O và 3d 8-Ni ban nhạc, vàUeff là khoảng cách giữa Ni ban nhạc 3d 8 và 3 d 7.20,21 trênmặt khác, cho LaNiO2.5, Ueff! D, và mức Ferminên có giữa các ban nhạc d 8 3d 9 và 3 ~ xem hình 5. Tương tự nhưđể NiO hay La 2NiO4,21 LaNiO2.50 là một chất cách điện và phản sắt từ.Ngày đi từ LaNiO3 đến LaNiO2.5, mộtmở rộng số lượng tế bào được quan sát thấy, 2 quy cho cáctăng trung bình là bán kính ion của Ni (r50.60 choNi 31 và r50.69 cho Ni 21). Khi khoảng cách tăng Ni-O,chuyển khoản điện tử tham số t và băng thông (W} t) giảm. Địa phương hoá điện tử sau đó diễn ra. Địa phương hoácũng có thể được ưa thích cho mật độ nhà nước giảmhậu quả của các vị trí tuyển dụng O được sản xuất trong khu phốCác ion Ni. Trong mẫu giảm, đây là haiCác trang web khác nhau cho ion Ni 21: các trang web với sáu oxy ionngười hàng xóm gần nhất trong một đối xứng (Oh) Bát diện, và các trang webvới bốn ôxy gần nhất hàng xóm trong một mặt phẳng vuôngĐối xứng (D4h). Ban nhạc điện tử với ví dụ như nhân vậtchia thành các a1g và b1g ban nhạc Bát diện và bình phươngmáy bay môi trường, tương ứng.Trong x50.25 mẫu, vị trí tuyển dụng oxy ở đâuĐặt hàng, thay đổi đăng ký ds/dT xảy ra tại 75 K, màcó thể được giải thích bởi một băng thông phụ thuộc vào T W(T). Cácđộ dẫn điện có thể được mô tả bởi một đạo luật năng lượng(s5s01aT1/3) dưới 75 K. trên 75 K s kim loại làquan sát thấy một sự thay đổi độ dốc ở 220 K, coincident vớiTB, nhiệt độ đặc trưng nơi một số mức độĐặt hàng từ dường như hiện nay. Hành vi này có thểso sánh với những thay đổi trong dẫn quan sát thấy trong trật tự sắt từoxit kim loại vì magnon điện tửscattering.22Cuối cùng, chúng tôi thấy rằng sự vắng mặt của bước cuối cùng của tôiở 400 ° C đổi độ dẫn điện từ trường và điệntính chất của các mẫu x50.25. Trong LaNiO2.75j chúng tôiđã quan sát thấy sau đây: ~ tôi! một sự phụ thuộc Curie-Weiss Tx ở nhiệt độ cao, ~ ii! thay đổi đăng nhậpDS/dT, ~ iii! một giảm dần trong tính dẫn nhiệt độ tất cả,và ~ iv! trong tất cả thử nghiệm T,s (x50.25j và T) có thể được mô tả với hai kênhngười mẫu: kim loại cộng với cơ chế Črni VRH. Hai song songđiện trở suất kênh có thể bắt nguồn từ các inhomogeneitiesmẫu unannealed. Hành vi này giải thíchnhư là sự hiện diện của chủ đề hoặc đảo tiếp xúc bằng kim loại, phong phúôxy, nhúng trong một chất cách điện vừa giàu oxyvị trí tuyển dụng. Nó là đáng chú ý p. 14 trong nhiệm kỳ thứ hai của Eq.~ 2,2! có thể chỉ ra sự hiện diện của các tiểu bang bản địa hoá chomà s được mô tả bởi công thức của Mott. Dẫn nghèodự kiến nếu hệ thống có một rối loạn vị trí tuyển dụng oxy,và sẽ trình bày một s thấp hơn trường hợp với một oxyThứ tự vị trí tuyển dụng. Tiếp tục nghiên cứu về việc tăng cường cácHệ số nhiệt – g trong LaNiO32x, với x50.25 và0,5, là cần thiết cho một mô tả đầy đủ lý thuyết của cácHệ thống.

Kết quả (Việt) 2:

III. THẢO LUẬN
Việc giảm LaNiO3 thay đổi trạng thái hóa trị và O
phối hợp của các ion Ni. Những thay đổi này phải thay đổi
cấu trúc ban nhạc của các hợp chất khác nhau của LaNiO32x
loạt. Như LaNiO3 là một kim loại phí chuyển nhượng, 19 độ dẫn
thuộc tính của LaNiO32x nên được xác định bởi các
tương tác giữa các băng thông và năng lượng khoảng trống của O
và các ban nhạc Ni, như phác thảo trong hình. 5. Đối với LaNiO3, D! Ueff,
trong đó D là khoảng cách giữa 2p-O và 3d8-Ni ban nhạc, và
Ueff là khoảng cách giữa các dải 3d8 Ni và 3d7.
20,21 On
ở phía bên kia, cho LaNiO2.5, Ueff! D, và mức Fermi
nên được giữa các ban nhạc 3d9 và 3d8 ~ xem hình. 5 !. Tương tự
để NiO hoặc La 2NiO4,
21 LaNiO2.50 là một chất cách điện và phản sắt từ.
Khi đi từ LaNiO3 để LaNiO2.5, một
mở rộng của khối lượng tế bào được quan sát, 2 do sự
gia tăng trong bán kính ion trung bình của Ni (R50. 60
Ni 31 và r50.69 cho Ni 21). Khi Ni-O khoảng cách tăng lên,
các điện tử tham số chuyển t và băng thông (W
} t) giảm. Nội địa hóa điện tử sau đó diễn ra. Việc nội địa hóa
cũng có thể được ưa chuộng và có mật độ nhà nước giảm
do hậu quả của các vị trí O được sản xuất trong các khu phố
của các ion Ni. Trong các mẫu giảm đây là hai
trang web khác nhau cho các ion Ni 21: các trang web với sáu oxy ion
hàng xóm gần nhất trong một bát diện (Oh) đối xứng, và các trang web
với bốn oxy hàng xóm gần nhất trong một chiếc máy bay bình phương
(D4h) đối xứng. Ban nhạc điện tử với ví dụ như nhân vật
tách thành a1g và b1g ban nhạc cho bát diện và bình phương
các môi trường máy bay, tương ứng.
Trong mẫu x50.25, nơi các vị trí oxy được
ra lệnh, một sự thay đổi dấu hiệu của ds / dT xảy ra ở 75 K, trong đó
có thể là giải thích bởi một W băng thông T-phụ thuộc (T). Các
dẫn điện có thể được mô tả bằng một định luật
(s5s01aT1 / 3) dưới 75 K. Trên 75 K một kim loại s được
quan sát với một sự thay đổi độ dốc ở 220 K, trùng với
Tb, nhiệt độ đặc trưng nơi một mức độ
đặt hàng từ dường như có mặt. Hành vi này có thể được
so sánh với những thay đổi trong tính dẫn quan sát thấy trong sắt từ
oxit kim loại vì electron-Magnon
scattering.22
Cuối cùng, chúng ta thấy rằng sự vắng mặt của những bước cuối cùng của ủ
ở 400 ° C sẽ thay đổi độ dẫn từ trường và điện
thuộc tính của x50.25 mẫu. Trong LaNiO2.75j chúng tôi
đã quan sát thấy những điều sau đây: ~ i! một sự phụ thuộc Curie-Weiss T
của x ở nhiệt độ cao hơn, ~ ii! một sự thay đổi dấu hiệu của
ds / dT, ~ iii! một giảm dần tính dẫn cho tất cả các nhiệt độ,
và ~ iv! trong tất cả các phạm vi T thử nghiệm,
s (x50.25j và T) có thể được mô tả bằng một hai kênh
mô hình: cơ chế kim loại cộng với VRH. Hai song song
các kênh điện trở có thể bắt nguồn từ những bất đồng nhất
của mẫu unannealed. Hành vi này được giải thích
như sự có mặt của chủ đề hoặc đảo tiếp xúc kim loại, giàu
oxy, nhúng trong môi trường cách điện giàu oxy
chỗ trống. Đáng chú ý là các p. 1
4 trong nhiệm kỳ thứ hai của phương trình.
~ 2.2! có thể được chỉ ra sự hiện diện của các quốc gia bản địa hoá cho
mà s được mô tả bởi công thức Mott của. Một dẫn kém
dự kiến nếu hệ thống có một rối loạn vị trí tuyển dụng oxy,
và sẽ trình bày một s thấp hơn so với các trường hợp với oxy
để trống. Nghiên cứu sâu hơn về việc tăng cường các
cụ nhiệt hệ số g trong LaNiO32x, với x50.25 và
0.5, là cần thiết cho một mô tả lý thuyết đầy đủ của
hệ thống.