A number of different FETs can be u

A number of different FETs can be used for front-end receiver design . For gigabit-per-second data rates, for example , the lowest-noise receiver are made using GaAs MESFET (metal semiconductor field-effect transistor ) preamplifiers . At lower frequencies, silicon MOSFETs (metal-oxide semiconductor field-effect transistor) or JFETs are generally used. The circuit of a simple FET amplifier is shown in Fig.7-18. Typical FETs have very large input resistance R , so, for practical purposes Ra=00. The total resistance R given by Eq.( 7 -10 ) then reduces to the value of the detector bias resistor R.

Kết quả (Việt) 1:

Một số khác nhau FETs có thể được sử dụng cho người nhận kết thúc thiết kế. Cho tốc độ gigabit / giây dữ liệu, ví dụ, tiếng ồn thấp nhất nhận được thực hiện bằng cách sử dụng preamplifiers GaAs MESFET (kim loại bán dẫn field - hiệu ứng bóng bán dẫn). Ở tần số thấp, MOSFETs silic (oxit kim loại bán dẫn field - có hiệu lực transistor) hoặc JFETs thường được sử dụng. Mạch khuếch đại FET đơn giản được thể hiện trong Fig.7-18. Điển hình FETs có rất lớn đầu vào sức đề kháng R, vì vậy, cho mục đích thực tế Ra = 00. Tất cả kháng R được đưa ra bởi Eq. (7 -10) sau đó làm giảm giá trị của điện trở thiên vị phát hiện R.

Kết quả (Việt) 2:

Một số FETs khác nhau có thể được sử dụng cho thiết kế front-end nhận. Đối với gigabit mỗi giây tốc độ dữ liệu, ví dụ, người nhận thấp nhất tiếng ồn được thực hiện bằng cách sử dụng GaAs MESFET (kim loại bán dẫn transistor hiệu ứng trường) tiền khuếch đại. Tại các tần số thấp hơn, MOSFETs silicon (metal-oxide bán dẫn transistor hiệu ứng trường) hoặc JFETs thường được sử dụng. Các mạch của một bộ khuếch đại FET đơn giản được thể hiện trong Fig.7-18. FETs điển hình có rất lớn kháng đầu vào R, do đó, đối với các mục đích thực Ra = 00. Các kháng tổng số R cho bởi phương trình. (7 -10) sau đó làm giảm giá trị của sự thiên vị dò điện trở R.