DIODE MODELS ◆ 41ideally acts like

DIODE MODELS ◆ 41
ideally acts like an open (off) switch, as shown in part (b). Although the barrier potential, the forward dynamic resistance, and the reverse current are all neglected, this model is adequate for most troubleshooting when you are trying to determine if the diode is working properly. In Figure 2–15(c), the ideal V-I characteristic curve graphically depicts the ideal diode operation. Since the barrier potential and the forward dynamic resistance are neglected, the diode is assumed to have a zero voltage across it when forward-biased, as indicated by the portion of the curve on the positive vertical axis.
The forward current is determined by the bias voltage and the limiting resistor using Ohm’s law. VF = 0 V
Equation 2–1
Since the reverse current is neglected, its value is assumed to be zero, as indicated in Figure 2–15(c) by the portion of the curve on the negative horizontal axis.
The reverse voltage equals the bias voltage.
You may want to use the ideal model when you are troubleshooting or trying to figure out the operation of a circuit and are not concerned with more exact values of voltage or current. The Practical Diode Model The practical model includes the barrier potential. When the diode is forward-biased, it is equivalent to a closed switch in series with a small equivalent voltage source (VF) equal to the barrier potential (0.7 V) with the positive side toward the anode, as indicated in Figure 2–16(a). This equivalent voltage source represents the barrier potential that must be exceeded by the bias voltage before the diode will conduct and is not an active source of voltage. When conducting, a voltage drop of 0.7 V appears across the diode. VR = VBIAS
IR = 0 A
IF 
VBIAS RLIMIT
RLIMIT
Practical diode model
(a) Forward bias
–+
RLIMIT
VBIAS
A K
Practical diode model VF
IF
(b) Reverse bias
VBIAS
A K
I = 0
– +
– + VBIAS
+
–
– +
VR
0
VF
IF
(c) Characteristic curve (silicon)
0.7 V
IR
 FIGURE 2–16 The practical model of a diode.
When the diode is reverse-biased, it is equivalent to an open switch just as in the ideal model, as shown in Figure 2–16(b). The barrier potential does not affect reverse bias, so it is not a factor. The characteristic curve for the practical diode model is shown in Figure 2–16(c). Since the barrier potential is included and the dynamic resistance is neglected, the diode is assumed to have a voltage across it when forward-biased, as indicated by the portion of the curve to the right of the origin. VF = 0.7 V

Kết quả (Việt) 1:

MÔ HÌNH DIODE ◆ 41lý tưởng nhất đóng vai trò như một mở (tắt) chuyển đổi, như được hiển thị một phần (b). Mặc dù những rào cản tiềm năng, kháng động phía trước và hiện tại là đảo ngược tất cả bỏ rơi, mô hình này là đủ cho hầu hết giải đáp thắc mắc khi bạn đang cố gắng để xác định nếu các diode đang làm việc đúng. Trong hình 2–15(c), V lý tưởng-tôi đặc trưng đường cong đồ họa mô tả chiến dịch lý tưởng diode. Kể từ khi những rào cản tiềm năng và kháng động phía trước bị bỏ quên, các diode giả sử có một điện áp không qua nó khi thành kiến về phía trước, như được chỉ ra bởi các phần của đường cong trên trục dọc tích cực.Hiện tại phía trước được xác định bởi thiên vị hiệu điện thế và điện trở hạn chế sử dụng luật Ohm. VF = 0 VPhương trình 2-1Vì hiện tại ngược lại là bỏ rơi, giá trị của nó được giả định là zero, như được chỉ ra ở hình 2–15(c) bởi phần của đường cong trên trục ngang tiêu cực.Điện áp ngược bằng điện áp thiên vị.Bạn có thể muốn sử dụng các mô hình lý tưởng khi bạn đang khắc phục sự cố hoặc cố gắng tìm hiểu hoạt động của một mạch và không quan tâm với các giá trị chính xác hơn của điện áp hay hiện tại. Mô hình Diode thực tế các mô hình thực tế gồm những rào cản tiềm năng. Khi các diode là thành kiến về phía trước, nó là tương đương với một chuyển đổi khép kín trong chuỗi với một nguồn điện áp tương đương nhỏ (VF) tương đương với những rào cản tiềm năng (0.7 V) với các mặt tích cực hướng tới anode, như được chỉ ra ở hình 2–16(a). Nguồn điện áp tương đương này đại diện cho tiềm năng hàng rào phải được vượt quá điện áp thiên vị trước khi các diode sẽ tiến hành và không phải là một nguồn điện áp hoạt động. Khi tiến hành, giảm điện áp của 0.7 V xuất hiện trên khắp các diode. VR = VBIASIR = 0 ANẾUVBIAS RLIMITRLIMITMô hình diode thực tế(a) chuyển tiếp thiên vị–+RLIMITVBIASMỘT KDiode thực tế mô hình VFNẾU(b) đảo ngược xu hướngVBIASMỘT KI = 0– +- + VBIAS+–– +VR0VFNẾU(c) đặc trưng đường cong (silicon)0.7 VHỒNG NGOẠIHÌNH 2-16 mô hình thực tế của một diode.Khi các diode là ngược lại thành kiến, đó là tương đương với một chuyển đổi mở giống như trong các mô hình lý tưởng, như minh hoạ trong hình 2–16(b). Những rào cản tiềm năng không ảnh hưởng đến xu hướng đảo ngược, do đó, nó không phải là một yếu tố. Đường cong đặc trưng cho các mô hình thực tế diode được hiển thị ở hình 2–16(c). Kể từ khi những rào cản tiềm năng được bao gồm và kháng động là bỏ rơi, các diode giả sử có một điện áp trên nó khi thành kiến về phía trước, như được chỉ ra bởi các phần của đường cong ở bên phải của nguồn gốc. VF = 0,7 V

Kết quả (Việt) 2:

MÔ HÌNH DIODE ◆ 41
lý tưởng hoạt động như một công tắc mở (off), như trong phần (b). Mặc dù tiềm năng rào cản, các kháng động về phía trước, và hiện tại ngược lại tất cả đều bị bỏ quên, mô hình này là đủ cho hầu hết các xử lý sự cố khi bạn đang cố gắng để xác định xem các diode đang làm việc đúng cách. Trong hình 2-15 (c), lý tưởng VI đặc trưng đường cong đồ mô tả các hoạt động diode lý tưởng. Từ tiềm năng rào cản và kháng cự động về phía trước đang bị bỏ quên, các diode được giả định là có một điện áp không qua nó khi chuyển tiếp-kiến, như được chỉ ra bởi các phần của đường cong trên trục tung tích cực.
Các chuyển tiếp hiện nay được xác định bởi sự thiên vị điện áp và hạn chế sử dụng điện trở định luật Ohm. VF = 0 V
Equation 2-1
Kể từ khi ngược lại hiện vẫn bị bỏ mặc, giá trị của nó được giả định là không, như được chỉ ra trong hình 2-15 (c) bằng các phần của đường cong trên trục ngang tiêu cực.
Các điện áp ngược bằng với thiên vị điện áp.
bạn có thể muốn sử dụng các mô hình lý tưởng khi bạn đang gỡ rối hoặc cố gắng tìm ra các hoạt động của một mạch và không quan tâm đến giá trị chính xác hơn của điện áp hoặc dòng điện. Các Diode thực hành Mô hình mô hình thực tế bao gồm tiềm năng rào cản. Khi điốt được chuyển tiếp-kiến, nó tương đương với một công tắc đóng trong series với một nguồn điện áp tương đương nhỏ (VF) bằng với tiềm năng rào cản (0,7 V) với các mặt tích cực về phía cực dương, như được chỉ ra trong hình 2-16 (a). Nguồn điện áp tương đương này thể hiện tiềm năng rào cản cần được vượt qua điện áp phân cực trước các diode sẽ tiến hành và không phải là một nguồn động của điện áp. Khi tiến hành, giảm điện áp 0,7 V xuất hiện trên diode. VR = VBIAS
IR = 0 Một
NẾU?
VBIAS RLIMIT
RLIMIT
thực hành mô hình diode
(a) Chuyển tiếp thiên vị
- +
RLIMIT
VBIAS
A K
mô hình diode thực VF
IF
(b) bias Xếp
VBIAS
A K
I = 0
- +
- + VBIAS
+
-
- +
VR
0
VF
IF
(c) đường cong đặc trưng (silicon)
0,7 V
IR
? Hình 2-16 Mô hình thực tế của một diode.
Khi điốt được đảo ngược thành kiến, nó tương đương với một công tắc mở giống như trong mô hình lý tưởng, như thể hiện trong hình 2-16 (b). Tiềm năng rào cản không ảnh hưởng đến xu hướng ngược lại, vì vậy nó không phải là một yếu tố. Các đường cong đặc trưng cho mô hình diode thực tế được thể hiện trong hình 2-16 (c). Từ tiềm năng rào cản được bao gồm và kháng cự động bị bỏ qua, các diode được giả định có một điện áp trên nó khi phía trước thiên, như được chỉ ra bởi các phần của đường cong bên phải nguồn gốc. VF = 0.7 V