38 ◆ DIODES AND APPLICATIONSDynamic

38 ◆ DIODES AND APPLICATIONS
Dynamic Resistance Figure 2–10(b) is an expanded view of the V-I characteristic curve in part (a) and illustrates dynamic resistance. Unlike a linear resistance, the resistance of the forward-biased diode is not constant over the entire curve. Because the resistance changes as you move along the V-I curve, it is called dynamic or ac resistance. Internal resistances of electronic devices are usually designated by lowercase italic rwith a prime, instead of the standard R. The dynamic resistance of a diode is designated Below the knee of the curve the resistance is greatest because the current increases very little for a given change in voltage The resistance begins to decrease in the region of the knee of the curve and becomes smallest above the knee where there is a large change in current for a given change in voltage. V-I Characteristic for Reverse Bias When a reverse-bias voltage is applied across a diode, there is only an extremely small reverse current (IR) through the pn junction. With 0 V across the diode, there is no reverse current. As you gradually increase the reverse-bias voltage, there is a very small reverse current and the voltage across the diode increases. When the applied bias voltage is increased to a value where the reverse voltage across the diode (VR) reaches the breakdown value (VBR), the reverse current begins to increase rapidly. As you continue to increase the bias voltage, the current continues to increase very rapidly, but the voltage across the diode increases very little above VBR. Breakdown, with exceptions, is not a normal mode of operation for most pn junction devices. Graphing the V-I Curve If you plot the results of reverse-bias measurements on a graph, you get the V-I characteristic curve for a reverse-biased diode. A typical curve is shown in Figure 2–11. The diode reverse voltage (VR) increases to the left along the horizontal axis, and the reverse current (IR) increases downward along the vertical axis. There is very little reverse current (usually ) until the reverse voltage across the diode reaches approximately the breakdown value (VBR) at the knee of the curve. After this point, the reverse voltage remains at approximately VBR, but IR increases very rapidly, resulting in overheating and possible damage if current is not limited to a safe level. The breakdown voltage for a diode depends on the doping level, which the manufacturer sets, depending on the type of diode. A typical rectifier diode (the most widely used type) has a breakdown voltage of greater than 50 V. Some specialized diodes have a breakdown voltage that is only 5 V. The Complete V-I Characteristic Curve Combine the curves for both forward bias and reverse bias, and you have the complete V-I characteristic curve for a diode, as shown in Figure 2–12.

Kết quả (Việt) 1:

38 ◆ ĐIỐT VÀ ỨNG DỤNGNăng động kháng hình 2–10(b) là một lần xem mở rộng của V-tôi đặc trưng đường cong trong phần (a) và minh hoạ động kháng chiến. Không giống như một kháng chiến tuyến tính, cuộc kháng cự của diode thành kiến về phía trước là không liên tục trên toàn bộ đường cong. Bởi vì các kháng thay đổi khi bạn di chuyển dọc theo V-đường cong của tôi, nó được gọi là năng động hoặc ac kháng. Kháng nội bộ của thiết bị điện tử được thường chỉ định bởi chữ thường nghiêng rwith thủ tướng chính phủ, thay vì tiêu chuẩn R. Khả năng kháng động của một diode được thiết kế dưới đầu gối cong kháng chiến là lớn nhất, vì hiện tại làm tăng rất ít cho một sự thay đổi nhất định trong điện áp cuộc kháng chiến bắt đầu giảm trong vùng đầu gối của đường cong và trở thành nhỏ nhất ở trên đầu gối nơi có một sự thay đổi lớn trong hiện tại cho một sự thay đổi nhất định trong điện áp. V-tôi đặc trưng cho điện áp đảo ngược xu hướng khi một đảo ngược xu hướng được áp dụng trên một diode, đó là chỉ một rất nhỏ ngược dòng (IR) thông qua các giao lộ pn. Với 0 V qua các diode, có là không có chiều ngược lại. Như bạn dần dần tăng điện áp đảo ngược xu hướng, có là một hiện tại ngược lại rất nhỏ và hiệu điện thế ngang qua diode tăng. Khi áp dụng điện áp thiên vị tăng lên tới một giá trị nơi mà điện áp ngược qua diode (VR) đạt giá trị phân tích (VBR), hiện tại ngược lại bắt đầu tăng nhanh chóng. Khi bạn tiếp tục tăng điện áp thiên vị, hiện nay tiếp tục tăng rất nhanh chóng, nhưng điện áp trên các diode tăng rất ít trên VBR. Phân tích, với ngoại lệ, không phải là một chế độ bình thường của hoạt động cho hầu hết các thiết bị giao lộ pn. Vẽ đồ thị V-tôi cong nếu bạn vẽ kết quả đo đạc đảo ngược xu hướng vào đồ thị, bạn sẽ có được V-tôi các đường cong đặc trưng cho một diode ngược lại thành kiến. Một đường cong đặc trưng được thể hiện trong hình 2-11. Điện áp ngược diode (VR) tăng sang trái dọc theo trục ngang, và đảo ngược dòng (IR) tăng lên xuống dọc theo trục dọc. Có rất ít ngược dòng (thường) cho đến khi đảo ngược các điện áp trên các diode đạt khoảng phân tích giá trị (VBR) ở đầu gối của đường cong. Sau thời điểm này, điện áp ngược lại vẫn còn ở khoảng VBR, nhưng IR tăng rất nhanh chóng, dẫn đến thiệt hại quá nóng và có thể có nếu hiện tại là không giới hạn đến một mức độ an toàn. Điện áp phân tích cho một diode phụ thuộc vào mức độ doping, nhà sản xuất bộ, tùy thuộc vào loại diode. Một diode chỉnh lưu điển hình (loại được sử dụng rộng rãi nhất) có một sự cố điện áp lớn hơn 50 V. Một số chuyên ngành điốt có một điện áp phân tích là chỉ 5 V. Hoàn thành V-tôi đường cong đặc trưng kết hợp các đường cong cho cả hai chuyển tiếp thiên vị và đảo ngược xu hướng, và bạn đã hoàn thành V-tôi các đường cong đặc trưng cho một diode, như minh hoạ trong hình 2-12.

Kết quả (Việt) 2:

38 ◆ điốt VÀ ỨNG DỤNG
động kháng Hình 2-10 (b) là một quan điểm rộng của đường cong đặc trưng VI trong phần (a) và minh họa kháng năng động. Không giống như một kháng tuyến tính, sức đề kháng của diode chuyển tiếp thiên là không liên tục trên toàn bộ đường cong. Bởi vì các kháng thay đổi khi bạn di chuyển dọc theo đường cong VI, nó được gọi là kháng động hoặc ac. Điện trở bên trong của thiết bị điện tử thường được chỉ định bởi nghiêng chữ thường rwith một nguyên tố, thay vì tiêu chuẩn R. kháng năng động của một diode được chỉ định Bên dưới đầu gối của đường cong điện trở là lớn nhất vì tăng hiện tại rất ít cho mỗi sự thay đổi trong áp Cuộc kháng chiến bắt đầu giảm trong khu vực của đầu gối của đường cong và trở nên nhỏ phía trên đầu gối, nơi có một sự thay đổi lớn trong hiện tại cho mỗi sự thay đổi trong điện áp. VI Đặc cho Reverse Bias Khi một điện áp đảo ngược thiên vị được áp dụng trên một diode, chỉ có một cực kỳ nhỏ ngược dòng (IR) thông qua tiếp giáp pn. Với 0 V qua các diode, không có ngược lại hiện tại. Như bạn dần dần tăng điện áp đảo ngược thiên vị, có một rất nhỏ ngược dòng và điện áp trên diode tăng. Khi điện áp phân cực áp dụng được tăng lên một giá trị mà điện áp ngược trên diode (VR) đạt giá trị sự cố (VBR), ngược lại hiện tại bắt đầu tăng nhanh. Khi bạn tiếp tục tăng điện áp thiên vị, hiện nay vẫn tiếp tục tăng rất nhanh, nhưng điện áp trên diode tăng rất ít ở trên VBR. Breakdown, với trường hợp ngoại lệ, không phải là một chế độ vận hành bình thường đối với hầu hết các thiết bị pn đường giao nhau. Vẽ đồ Curve VI Nếu bạn lô các kết quả của các phép đo ngược thiên vị trên một đồ thị, bạn sẽ có được những đường cong đặc trưng VI cho một diode ngược thiên vị. Một đường cong đặc trưng được thể hiện trong hình 2-11. Các điện áp đảo ngược Diode (VR) tăng đến trái dọc theo trục ngang, và ngược lại hiện tại (IR) tăng giảm theo trục thẳng đứng. Có rất ít ngược dòng (thường) cho đến khi điện áp ngược trên diode đạt xấp xỉ giá trị sự cố (VBR) ở đầu gối của đường cong. Sau thời điểm này, điện áp ngược vẫn ở khoảng VBR, nhưng IR tăng rất nhanh chóng, dẫn đến quá nóng và thiệt hại có thể nếu hiện tại không giới hạn ở mức an toàn. Các điện áp phân tích cho một diode phụ thuộc vào mức độ sử dụng doping, mà nhà sản xuất đặt ra, tùy thuộc vào loại diode. Một diode chỉnh lưu thông thường (loại sử dụng rộng rãi nhất) có điện áp phân tích lớn hơn 50 V. Một số điốt chuyên ngành có một điện áp phân tích đó chỉ là 5 V. The Complete VI Đường cong đặc trưng Kết hợp các đường cong cho cả thiên vị về phía trước và ngược lại thiên vị, và bạn phải hoàn thành các đường cong đặc trưng VI cho một diode, như thể hiện trong hình 2-12.