Fig. 1.9 (using antimony as the imp

Fig. 1.9 (using antimony as the impurity in a silicon base). Note that the four covalent bonds are still present. There is, however, an additional fifth electron due to the impurity atom, which is unassociated with any particular covalent bond. This remaining electron, loosely bound to its parent (antimony) atom, is relatively free to move within the newly formed n-type material. Since the inserted impurity atom has donated a relatively “free” electron to the structure:

Kết quả (Việt) 1:

Hình 1.9 (sử dụng antimon như tạp chất trong một cơ sở silic). Lưu ý rằng các liên kết liên bốn vẫn còn hiện diện. Có đó, Tuy nhiên, một electron thứ năm bổ sung do nguyên tử tạp chất, là chưa kết hợp với bất kỳ trái phiếu liên cụ thể. Này điện tử còn lại, lỏng lẻo bị ràng buộc với nguyên tử phụ huynh (antimon), là tương đối tự do để di chuyển trong các tài liệu n-kiểu mới được thành lập. Kể từ khi các nguyên tử được chèn vào tạp chất đã đóng góp một điện tử tương đối "miễn phí" cho cấu trúc:

Kết quả (Việt) 2:

Vả. 1.9 (sử dụng antimon như các tạp chất trong cơ sở silicon). Lưu ý rằng bốn liên kết cộng hóa trị vẫn còn hiện hữu. Có đó, tuy nhiên, một electron thứ năm bổ sung do các nguyên tử tạp chất, mà là unassociated với bất kỳ liên kết hóa trị đặc biệt. Đây electron còn lại, lỏng lẻo liên kết với nó mẹ (antimon) nguyên tử, là tương đối tự do di chuyển trong các mới được thành lập n-loại vật liệu. Kể từ khi các nguyên tử tạp chất chèn đã tặng một tương đối "miễn phí" electron để cấu trúc: