It is always a good idea to examine

It is always a good idea to examine experimental data graphically. Figure 3.2a presents box
plots for etch rate at each level of RF power, and Figure 3.2b a scatter diagram of etch rate versus
RF power. Both graphs indicate that etch rate increases as the power setting increases. There is no strong evidence to suggest that the variability in etch rate around the average depends on the
power setting. On the basis of this simple graphical analysis, we strongly suspect that (1) RF power
setting affects the etch rate and (2) higher power settings result in increased etch rate.

Kết quả (Việt) 1:

Nó luôn luôn là một ý tưởng tốt để kiểm tra dữ liệu thực nghiệm đồ họa. Tìm 3.2a trình bày hộplô cho etch tỷ lệ ở mỗi cấp của RF quyền lực, và con số 3.2b một sơ đồ phân tán của etch tỷ lệ so vớiRF quyền lực. Cả hai đồ thị cho thấy rằng etch tăng tỷ lệ như tăng thiết lập quyền lực. Có là không có bằng chứng mạnh mẽ cho thấy rằng biến đổi trong etch tỷ lệ xung quanh thành phố trung bình phụ thuộc vào cácthiết lập quyền lực. Trên cơ sở phân tích đồ họa đơn giản này, chúng tôi rất nghi ngờ rằng năng lượng RF (1)thiết lập ảnh hưởng đến tỷ lệ etch và (2) kết quả thiết lập quyền lực cao trong etch tăng giá.

Kết quả (Việt) 2:

Nó luôn luôn là một ý tưởng tốt để kiểm tra dữ liệu thử nghiệm đồ họa. Hình 3.2a trình bày hộp
lô cho tỷ lệ etch tại mỗi mức năng lượng RF, và con số 3.2ba sơ đồ phân tán của tỷ lệ etch so với
năng lượng RF. Cả hai đồ thị chỉ ra rằng tỷ lệ tăng etch như tăng thiết lập quyền lực. Không có bằng chứng mạnh mẽ cho thấy sự thay đổi trong tỷ lệ etch quanh mức trung bình phụ thuộc vào các
thiết lập quyền lực. Trên cơ sở phân tích đồ họa đơn giản này, chúng tôi rất nghi ngờ rằng (1) Công suất RF
thiết lập ảnh hưởng đến tốc etch và (2) thiết lập quyền lực cao hơn dẫn đến tăng tỷ lệ etch.