A Further increase in the AlN thick

A Further increase in the AlN thickness can, however, decrease the electron mobility down to 780 cm2 V 1 s 1. An attempt to explain this trend is as follows: the total density of 2DEG increases with the AlN thickness. This leads to the spreading of the electron gas across the heterointerface.

Kết quả (Việt) 1:

Một sự gia tăng thêm độ dày AlN Tuy nhiên, có thể, giảm xuống 780 cm2 V 1 s 1 điện tử, di động. Cố gắng giải thích xu hướng này là như sau: mật độ tổng số của 2DEG với độ dày AlN tăng. Điều này dẫn đến lây lan điện tử khí trên khắp heterointerface.

Kết quả (Việt) 2:

Một việc tăng thêm độ dày AlN có thể, tuy nhiên, làm giảm sự di chuyển electron xuống tới 780 cm2 V 1 s 1. Một cố gắng để giải thích xu hướng này là như sau: tổng mật độ 2DEG tăng dày AlN. Điều này dẫn đến sự phát tán của khí điện tử trên heterointerface.