2. Hall effect in silicon. A Hall e

2. Hall effect in silicon. A Hall element is made in the form of a small silicon wafer 1 mm  1 mm and 0.2 mm thick. An n-type silicon is used with a majority carrier density of 1.5  1015 carriers/cm3, whereas the intrinsic carrier density is 1.5  1010 carriers/cm3. The mobility of holes is 450 cm2/Vs and that of electrons is 1350 cm2/Vs. Calculate:
a. The Hall coefficient of the Hall element.
b. The sensitivity of the Hall sensor in sensing magnetic fields given a fixed current of 10 mA across the sensor. Assume the magnetic flux density is applied perpendicular to the silicon plate.
c. Suppose that the intrinsic material is used to make the Hall element. Use the dimensions of the wafer to calculate the resistance of the Hall element and explain why this Hall element is not a practical device.

Kết quả (Việt) 2:

2. Hội trường có hiệu lực trong silicon. Một yếu tố Hall được thực hiện trong các hình thức của một wafer silicon nhỏ dày 1 mm  1 mm và 0,2 mm. An n-type silicon được sử dụng với một mật độ tàu sân bay đa 1,5  1015 hãng / cm3, trong khi mật độ tàu sân bay nội tại là 1,5  1010 hãng / cm3. Với tính linh động của lỗ là 450 cm2 / Vs và của electron là 1350 cm2 / Vs. Tính:
a. Các hệ số Hall of Hall phần tử.
b. Độ nhạy của cảm biến Hall trong từ trường cảm biến cho một dòng điện cố định của 10 mA trên cảm biến. Giả sử mật độ từ thông được áp dụng vuông góc với silicon tấm.
c. Giả sử rằng các tài liệu nội tại được sử dụng để làm cho các phần tử Hall. Sử dụng kích thước của wafer để tính toán kháng của phần tử Hall và giải thích lý do tại sao thành phần Hội trường này không phải là một thiết bị thực tế.