In reality, determining rd to a hig

In reality, determining rd to a high degree of accuracy from a characteristic curve using Eq. (1.6) is a difficult process at best and the results have to be treated with a
grain of salt. At low levels of diode current the factor rB is normally small enough compared to rd to permit ignoring its impact on the ac diode resistance. At high levels of current the level of rB may approach that of rd, but since there will frequently be other resistive elements of a much larger magnitude in series with the diode we will assume in this book that the ac resistance is determined solely by rd and the impact of rB will be ignored unless otherwise noted. Technological improvements of recent years suggest that the level of rB will continue to decrease in magnitude and eventually become a factor that can certainly be ignored in comparison to rd.
The discussion above has centered solely on the forward-bias region. In the reverse-bias region we will assume that the change in current along the Is line is nil from 0 V to the Zener region and the resulting ac resistance using Eq. (1.6) is sufficiently high to permit the open-circuit approximation.

Kết quả (Việt) 1:

Trong thực tế, việc xác định rd đến một mức độ cao của tính chính xác từ một đường cong đặc trưng bằng cách sử dụng Eq. (1. 6) là một quá trình khó khăn lúc tốt nhất và kết quả có thể được điều trị bằng mộthạt muối. Ở mức thấp của diode hiện tại các yếu tố rB là bình thường nhỏ đủ so với rd cho phép bỏ qua ảnh hưởng của nó ngày diode ac kháng. Ở mức cao của hiện tại ở cấp độ của rB có thể tiếp cận rd, nhưng kể từ khi sẽ thường xuyên có các yếu tố điện trở của một cường độ lớn hơn nhiều trong loạt với các diode chúng tôi sẽ giả định trong cuốn sách này ac kháng được xác định chỉ bởi rd và tác động của rB sẽ được bỏ qua thông thường. Các cải tiến công nghệ của năm gần đây cho thấy rằng mức độ của rB sẽ tiếp tục giảm trong độ lớn và cuối cùng trở thành một yếu tố mà chắc chắn có thể bỏ qua so với rd.Các cuộc thảo luận ở trên đã tập trung hoàn toàn vào vùng chuyển tiếp thiên vị. Vùng đảo ngược-thiên vị, chúng tôi sẽ cho rằng sự thay đổi trong hiện tại dọc theo các là dòng là con số không từ 0 V đến vùng Zener và ac kết quả sức đề kháng bằng cách sử dụng Eq. (1. 6) là đủ cao để cho phép xấp xỉ mở mạch.

Kết quả (Việt) 2:

Trong thực tế, việc xác định thứ đến một mức độ chính xác cao từ một đường cong đặc trưng sử dụng Eq. (1.6) là một quá trình khó khăn và kết quả phải được điều trị bằng một
hạt muối. Ở mức độ thấp của diode hiện RB yếu tố là thường đủ nhỏ so với thứ để cho phép bỏ qua tác động của nó đối với sức đề kháng ac diode. Ở mức độ cao hiện nay mức độ RB có thể tiếp cận đó của rd, nhưng kể từ khi có thường xuyên sẽ là yếu tố điện trở khác có cường độ lớn hơn nhiều trong series với các diode chúng tôi sẽ đảm nhận trong cuốn sách này mà kháng ac được xác định duy nhất bởi rd và tác động của RB sẽ được bỏ qua trừ khi có ghi chú khác. Cải tiến công nghệ của những năm gần đây cho thấy rằng mức độ RB sẽ tiếp tục giảm trong biên độ và cuối cùng trở thành một yếu tố đó chắc chắn có thể được bỏ qua so với rd.
Các cuộc thảo luận ở trên đã tập trung hoàn toàn vào các khu vực chuyển tiếp thiên vị. Tại khu vực đảo ngược thiên vị, chúng tôi sẽ giả định rằng sự thay đổi trong hiện tại dọc theo dòng Is là con số không từ 0 V đến vùng Zener và kháng ac dẫn sử dụng Eq. (1.6) là đủ cao để cho phép xấp xỉ mạch hở.