9.2.3 Self-Aligned Double-Polysilic

9.2.3 Self-Aligned Double-Polysilicon Bipolar Structures
The process shown in Figure 9.9r needs another lithograpliic step to define an oxide region to separate the base and emitter contact regions. This gives rise to a large inactive device area within the isolated boundary, which increases not only the parasitic capacitances, but also the resistance that degrades transistor performance. The most effective way to reduce these effects is by using a self-aligned structure.

Kết quả (Việt) 1:

9.2.3 self-Aligned đôi-Polysilicon lưỡng cực cấu trúc
quá trình thể hiện trong hình 9.9r nhu cầu một lithograpliic bước để xác định một khu vực ôxít để tách các cơ sở và emitter liên hệ với khu vực. Điều này cho phép tăng đến một khu vực lớn điện thoại không hoạt động trong vòng ranh giới bị cô lập, mà làm gia tăng không chỉ capacitances ký sinh trùng, nhưng cũng kháng làm giảm hiệu suất bóng bán dẫn. Cách hiệu quả nhất để giảm bớt những hiệu ứng này là bằng cách sử dụng một cấu trúc liên kết tự.

Kết quả (Việt) 2:

9.2.3 Tự Phù hợp đôi Polysilicon lưỡng cực cấu trúc
Quá trình thể hiện trong hình 9.9r cần một bước lithograpliic để xác định một khu vực oxide để tách các cơ sở và khu vực tiếp xúc phát. Điều này đưa đến một khu vực rộng lớn không hoạt động thiết bị trong ranh giới bị cô lập, làm tăng không chỉ là điện dung ký sinh, mà còn là sức đề kháng mà làm giảm hiệu suất bóng bán dẫn. Cách hiệu quả nhất để giảm thiểu những tác động này là bằng cách sử dụng một cấu trúc tự liên kết.