The result is a well surface concen

The result is a well surface concentration that changes with lateral distance from the mask edge, over the range of 1um or more. This lateral non – uniformity in well doping causes the MOSFET threshold voltages and other electrical characteristics to vary with the distance of the transistor to the well – edge. This phenomenon is commonly know as the well proximity effect (WPE).

Kết quả (Việt) 1:

Kết quả là nồng độ bề mặt cũng thay đổi với bên khoảng cách từ mép mặt nạ, trong phạm vi của 1um hoặc nhiều hơn. Này bên phòng không – tính đồng nhất trong cũng doping gây ra điện áp ngưỡng MOSFET và đặc tính điện khác để khác nhau với khoảng cách của transistor để tốt-cạnh. Hiện tượng này thường biết như là các hiệu ứng tốt gần nhau (WPE).

Kết quả (Việt) 2:

Kết quả là nồng độ bề mặt cũng thay đổi với khoảng cách ngang từ mặt nạ cạnh, trong phạm vi của 1um hoặc nhiều hơn. Điều này bên ngoài - Tính đồng bộ trong doping cũng gây ra các điện áp MOSFET ngưỡng và đặc tính điện khác để thay đổi theo khoảng cách của các bóng bán dẫn để giếng - cạnh. Hiện tượng này thường được gọi là hiệu ứng cũng gần (WPE).