Flash memory is an electronic (soli

Flash memory is an electronic (solid-state) non-volatile computer storage medium that can be electrically erased and reprogrammed. Developed by toshiba from EEPROM, flash memory have 2 main types are named after the NAND and NOR logic gates. Whereas EPROMs had to be completely erased before being rewritten, NAND-type flash memory may be written and read in blocks (or pages) which are generally much smaller than the entire device. NOR-type flash allows a single machine word (byte) to be written—​​to an erased location—​​or read independently.

The NAND type operates primarily in memory cards, USB flash drives, solid-state drives (those produced in 2009 or later), and similar products, for general storage and transfer of data. NAND or NOR flash memory is also often used to store configuration data in numerous digital products, a task previously made possible by EEPROM or battery-powered static RAM. One key disadvantage of flash memory is that it can only endure a relatively small number of write cycles in a specific block.

Kết quả (Việt) 1:

Bộ nhớ Flash là một phương tiện lưu trữ điện tử máy tính volatile (rắn) có thể được điện bị xóa và tái lập trình. Phát triển bởi toshiba từ EEPROM, bộ nhớ flash có 2 loại chính được đặt tên theo NAND và NOR logic gates. Trong khi EPROMs đã có thể hoàn toàn bị xóa trước khi được viết lại, bộ nhớ flash NAND – loại có thể được viết và đọc trong khối (hoặc trang web) mà là nói chung nhỏ hơn nhiều so với toàn bộ thiết bị. Đèn flash NOR-type cho phép một máy đơn lẻ từ (byte) được viết — để vị trí bị xóa- hoặc đọc một cách độc lập.Loại NAND hoạt động chủ yếu trong thẻ nhớ, ổ đĩa flash USB, ổ đĩa trạng thái rắn (những người sản xuất trong năm 2009, hoặc sau này), và tương tự như các sản phẩm, tổng hợp lí và chuyển dữ liệu. NAND hoặc NOR bộ nhớ flash cũng thường được sử dụng để lưu trữ dữ liệu cấu hình trong nhiều sản phẩm kỹ thuật số, một nhiệm vụ mà trước đó được thực hiện bởi EEPROM hoặc pin RAM tĩnh. Một trong những bất lợi chính của bộ nhớ flash là nó chỉ có thể chịu đựng một số ghi chu kỳ trong một cụ thể khối tương đối nhỏ.

Kết quả (Việt) 2:

Bộ nhớ flash là một điện tử (solid-state) không ổn định phương tiện lưu trữ máy tính có thể được xoá hoàn toàn bằng điện và lập trình lại. Phát triển bởi toshiba từ EEPROM, bộ nhớ flash có 2 loại chính được đặt tên sau khi NAND và NOR lý cửa. Trong khi EPROMs phải được hoàn toàn bị xóa trước khi được viết lại, NAND-loại bộ nhớ flash có thể được viết và đọc bằng khối (hoặc các trang) thường là nhỏ hơn nhiều so với toàn bộ thiết bị. NOR-loại đèn flash cho phép một từ máy tính duy nhất (byte) để được written- một xóa Location- hoặc đọc một cách độc lập.

Các loại NAND hoạt động chủ yếu trong thẻ nhớ, ổ đĩa flash USB, ổ đĩa trạng thái rắn (những người sản xuất trong năm 2009 hoặc sau đó), và các sản phẩm tương tự, để lưu trữ nói chung và chuyển giao dữ liệu. NAND hoặc NOR bộ nhớ flash cũng thường được sử dụng để lưu trữ dữ liệu cấu hình trong rất nhiều sản phẩm kỹ thuật số, nhiệm vụ trước đây được thực hiện bằng EEPROM hay bộ nhớ RAM tĩnh chạy bằng pin. Một nhược điểm chính của bộ nhớ flash là nó chỉ có thể chịu đựng một số lượng tương đối nhỏ của chu kỳ ghi trong một khối cụ thể.

Kết quả (Việt) 3:

Bộ nhớ flash là một loài electron (rắn) mà không phải là dễ thất tình dục tính phương tiện lưu trữ điện, có thể xóa dữ liệu và lập trình.Do Toshiba phát triển EEPROM, bộ nhớ flash có 2 loại chủ yếu là loại đặt theo tên NANDStencils và nor cổng logic.Và sẽ hoàn toàn xóa EPROM trước khi bị loại bởi bộ nhớ flash có thể đọc và viết, NANDStencils đồng (hay trang) thường nhỏ hơn nhiều so với toàn bộ thiết bị.Nor - Flash cho phép một cỗ máy chữ (byte) được viết cho xoá bám phía ngoài vị trí bám phía ngoài đọc hoặc độc lập.NANDStencils loại hoạt động chủ yếu trong thẻ nhớ USB, USB, SSD (những người trong năm 2009 và sau đó tạo ra), và các sản phẩm tương tự, cho lưu trữ dữ liệu và truyền tin.NANDStencils hay Nor ân ái với flash memory thường được dùng để lưu trữ dữ liệu cấu hình trong nhiều sản phẩm kỹ thuật số, một nhiệm vụ trước khi được EEPROM hay pin điện tĩnh RAM.Bộ nhớ Flash chìa khóa của một nhược điểm là nó chỉ có thể ở một trong những địa điểm được một số tương đối của chu kỳ viết.