where E is the standard electrode p

where E is the standard electrode potential, R the gas constant, T the absolute temperature, F the
0
faraday constant, a the activity of species i, and Z the number of moles of electron involved.
i
i
Potentiometric sensors are divided into the metal-oxide sensitive field effect transistor (MOSFET),
the light-addressable potentiometric sensor (LAPS), the ion-sensitive field effect transistors (ISFET)
and the ion-selective electrodes (ISE). Ali et al. developed a commercial MOSFET using a GOx
modified ZnO nanowire. GOx-functionalized ZnO nanowires were grown on the Ag wire and then
directly connected to the MOSFET gate (Figure 1) [54]. They tested the response time and the stability
of the MOSFET sensor by using three different GOx/ZnO modified Ag electrodes, i.e., vertically
aligned, uniform nonaligned, and nonuniform nonaligned ZnO nanowires. The results showed that well
aligned ZnO-modified electrode displayed a good stability, short response time (

Kết quả (Việt) 1:

where E is the standard electrode potential, R the gas constant, T the absolute temperature, F the0faraday constant, a the activity of species i, and Z the number of moles of electron involved.iiPotentiometric sensors are divided into the metal-oxide sensitive field effect transistor (MOSFET),the light-addressable potentiometric sensor (LAPS), the ion-sensitive field effect transistors (ISFET)and the ion-selective electrodes (ISE). Ali et al. developed a commercial MOSFET using a GOxmodified ZnO nanowire. GOx-functionalized ZnO nanowires were grown on the Ag wire and thendirectly connected to the MOSFET gate (Figure 1) [54]. They tested the response time and the stabilityof the MOSFET sensor by using three different GOx/ZnO modified Ag electrodes, i.e., verticallyaligned, uniform nonaligned, and nonuniform nonaligned ZnO nanowires. The results showed that wellaligned ZnO-modified electrode displayed a good stability, short response time (<100 ms), and Sensors 2010, 104858improved detection limit. They also further demonstrated that the GOx/ZnO modified MOSFET is ableto be used for the immobilization of other biomolecules to make versatile electrodes for biosensing.Figure 1. Schematic illustration of the configuration of the MOSFET-based potentiometricglucose detection using an extended-gate functionalized-ZnO nanowire as a workingelectrode and the Ag/AgCl reference electrode (reproduced with permission from [54].Copyright 2009, IEEE)

Kết quả (Việt) 2:

trong đó E là thế điện cực chuẩn, R hằng số khí, T nhiệt độ tuyệt đối, F
0
faraday liên tục, một hoạt động của loài i, và Z là số mol electron liên quan.
i
i
cảm biến thế năng được chia thành các kim loại -oxide nhạy cảm transistor hiệu ứng trường (MOSFET),
cảm biến thế năng sáng địa chỉ (LAPS), ion nhạy cảm transistor hiệu ứng trường (ISFET)
và các điện cực chọn lọc ion (ISE). Ali et al. phát triển một MOSFET thương mại sử dụng một GOx
đổi ZnO dây nano. Dây nano ZnO GOx-chức hóa được trồng trên dây Ag và sau đó
kết nối trực tiếp đến cửa MOSFET (Hình 1) [54]. Họ kiểm tra thời gian phản ứng và sự ổn định
của cảm biến MOSFET bằng cách sử dụng ba GOx khác nhau / ZnO biến đổi điện cực Ag, tức là, theo chiều dọc
thẳng hàng, đồng phục trung lập, và sự không đồng dạng dây nano ZnO trung lập. Kết quả cho thấy cũng
phù hợp điện cực ZnO-sửa đổi hiển thị một sự ổn định tốt, thời gian phản ứng ngắn (<100 ms), và cảm biến năm 2010, 10 4858 giới hạn phát hiện được cải thiện. Họ cũng tiếp tục chứng minh rằng GOx / ZnO đổi MOSFET có thể được sử dụng cho bất động của phân tử sinh học khác để làm điện cực linh hoạt cho cảm ứng sinh học. Hình 1. Giản đồ minh họa các cấu hình của thế năng MOSFET dựa trên phát hiện glucose sử dụng một mở rộng khẩu dây nano chức năng hóa-ZnO là làm việc điện cực và điện cực tham chiếu Ag / AgCl (sao chép với sự cho phép từ [54]. Bản quyền năm 2009, IEEE)