where KD is a constant which is det

where KD is a constant which is determined by the diaphragm configuration (e.g., its shape and area exposed to p as well as its thickness).
The resistance of the sensing resistors changes in proportion to the applied manifold pressure by a phenomenon that is known as piezoresistivity. Piezoresistivity occurs in certain semiconductors so that the actual resistivity r (the reciprocal of conductivity) changes in proportion to the strain. The strain induced in each resistor is proportional to the diaphragm deflection, which, in turn, is proportional to the pressure on the outside surface of the diaphragm. For a MAP sensor, this pressure is the manifold absolute pressure.

Kết quả (Việt) 1:

nơi KD là một hằng số được xác định bởi hoành configuration (ví dụ, các hình dạng và khu vực tiếp xúc với p cũng như độ dày của nó).Cuộc kháng cự của những thay đổi điện trở cảm biến tỷ lệ áp dụng áp lực đa dạng của một hiện tượng được gọi là piezoresistivity. Piezoresistivity xảy ra ở một số chất bán dẫn do đó thay đổi điện trở suất thực tế r (reciprocal dẫn) theo tỷ lệ để sự căng thẳng. Sự căng thẳng gây ra trong mỗi điện trở là tỷ lệ thuận với deflection cơ hoành, trong đó, lần lượt, là tỷ lệ thuận với áp lực trên bề mặt bên ngoài của cơ hoành. Đối với một cảm biến bản đồ, áp lực này là áp suất tuyệt đối đa dạng.

Kết quả (Việt) 2:

nơi KD là một hằng số được xác định bởi cơ hoành con fi guration (ví dụ, hình dáng và diện tích tiếp xúc với p cũng như độ dày của nó).
Cuộc kháng chiến của những thay đổi cảm biến điện trở tương ứng với áp lực đa dạng được áp dụng bởi một hiện tượng được gọi là piezoresistivity. Piezoresistivity xảy ra trong bán dẫn cụ thể để các điện trở suất r thực tế (nghịch đảo của độ dẫn điện) thay đổi trong tỷ lệ với sự căng thẳng. Sự căng thẳng gây ra trong mỗi điện trở tỉ lệ với fl ục hoành de, trong đó, lần lượt, tỉ lệ với áp lực trên bề mặt bên ngoài của cơ hoành. Đối với một bộ cảm biến MAP, áp lực này là áp suất tuyệt đối đa dạng.