DRAM (dynamic random access memory)

DRAM (dynamic random access memory). The storage part of a DRAM cell is a capacitor, corresponding one bit. In 2005, a DRAM capacity were 4 Gb, as 4x109 bit, and had 4 billions of transistors.

Kết quả (Việt) 1:

DRAM (dynamic random access memory). Phần lưu trữ của một tế bào của DRAM là một tụ điện, tương ứng một chút. Năm 2005, công suất DRAM là 4 Gb, như 4 x 109 chút, và đã có 4 tỷ bóng bán dẫn.

Kết quả (Việt) 2:

DRAM (bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên động). Phần lưu trữ của một tế bào DRAM là một tụ điện, tương ứng một chút. Trong năm 2005, công suất DRAM là 4 Gb, như 4x109 bit, và có 4 tỷ bóng bán dẫn.