Thus, the electron in question is l

Thus, the electron in question is lost before a radiative emission
occurs. This does not mean that indirect emissive transitions would never
take place. In fact, they do occur occasionally and have been observed, for
example, in GaP, but with a very small quantum efficiency. Indirect–band
gap semiconductors therefore seem to be not suited for lasers. It should be
added, however, that silicon, when made porous by anodically HF etching,
has been observed to emit visible light.

Kết quả (Việt) 1:

Do đó, điện tử trong câu hỏi bị mất trước khi một bức xạ bức xạxảy ra. Điều này có nghĩa là quá trình chuyển đổi emissive gián tiếp sẽ không bao giờdiễn ra. Trong thực tế, họ xảy ra thường xuyên và đã được quan sát, choVí dụ, trong khoảng cách, nhưng với một hiệu quả rất nhỏ lượng tử. Gián tiếp-ban nhạckhoảng cách chất bán dẫn do đó có vẻ là không phù hợp cho laser. Nó nênThêm vào, Tuy nhiên, rằng silic, khi bằng xốp anodically HF khắc,đã được quan sát để phát ra ánh sáng khả kiến.

Kết quả (Việt) 2:

Vì vậy, các electron trong câu hỏi bị mất trước khi phát xạ bức xạ
xảy ra. Điều này không có nghĩa là quá trình chuyển đổi phát xạ gián tiếp sẽ không bao giờ
diễn ra. Trong thực tế, họ không xảy ra thường xuyên và đã được quan sát, cho
ví dụ, trong khoảng cách, nhưng với một hiệu suất lượng tử rất nhỏ. Gián tiếp-band
do đó chất bán dẫn khoảng cách dường như không phù hợp với laser. Cần
nói thêm, tuy nhiên, silicon, khi làm xốp bởi anodically HF khắc,
đã được quan sát để phát ra ánh sáng nhìn thấy được.