The Atomic Structure of Threading D

The Atomic Structure of Threading Dislocations
from Low-Angle to High-Angle Grain Boundaries
in GaN/Sapphire Epitaxial Layers

Kết quả (Việt) 1:

Cấu trúc nguyên tử của luồng Dislocationstừ thấp-góc đến góc cao hạt ranh giớiở GaN/Sapphire lớp trải

Kết quả (Việt) 2:

Cấu trúc nguyên tử của Threading trật khớp
từ Low-Angle Ranh giới cao-Angle Grain
trong GaN / Sapphire epitaxy Layers