1. An n-p-n transistor has a base t

1. An n-p-n transistor has a base transport factor αT of 0.998, an emitter efficiency of 0.997, and an ICp of 10 nA. (a)

Calculate α0 and ß0 for the device. (b) If IB = 0, what is the emitter current?

2. Given that an ideal transistor has an emitter efficiency of 0.999 and the collector-base leakage current is 10 μA,

calculate the active region emitter current
due to holes if IB = 0.

3. A silicon p-n-p transistor has impurity concentrations of 5 × 1018, 2 × 1017, and 1016 cm-3 in the emitter, base, and

collector, respectively. The base width is 1.0 μm and the device cross-sectional area is 0.2 mm2

junction is forward biased to 0.5 V and the
base-collector
junction
is reverse
biased to 5 V,
calculate (a) the neutral base

width and (b) the minority carrier concentration at the emitter-base junction.

. When the emitter-base

Kết quả (Việt) 1:

1. một bóng bán dẫn n-p-n có một yếu tố cơ sở giao thông vận tải αT của 0.998, một hiệu quả emitter của 0.997, và một ICp 10 nA. (a) Tính toán α0 và ß0 cho thiết bị. (b) nếu IB = 0, phát hiện tại là gì? 2. cho rằng một bóng bán dẫn lý tưởng có một hiệu quả emitter 0,999 và rò rỉ cơ sở thu hiện tại là 10 μA, tính toán emitter vùng hoạt động hiện tại do lỗ nếu IB = 0. 3. một bóng bán dẫn silicon p-n-p có tạp chất nồng độ của 5 × 1018, 2 × 1017 và 1016 cm-3 trong emitter, cơ sở, và nhà sưu tập, tương ứng. Chiều rộng cơ sở là 1.0 μm và diện tích mặt cắt của thiết bị là cách 0.2 mm2giao lộ thành kiến về phía trước để 0.5 V và các cơ sở thu giao lộ là đảo ngược thiên vị đến 5 V, tính toán (a) các cơ sở trung lập chiều rộng và (b) tập trung trên tàu sân bay thiểu số tại giao lộ emitter-cơ sở.. Khi các cơ sở emitter

Kết quả (Việt) 2:

1. Một transistor NPN có một yếu tố vận chuyển cơ sở αT của 0,998, hiệu suất phát của 0,997, và một ICP số 10 nA. (a) Tính α0 và ß0 cho thiết bị. (b) Nếu IB = 0, các phát hiện nay là gì? 2. Cho rằng một bóng bán dẫn điện lý tưởng có hiệu quả emitter của 0.999 và thu-base rò rỉ hiện nay là 10 μA, tính toán khu vực hoạt động phát hiện do lỗ nếu IB = 0. 3. Một bóng bán dẫn PNP silicon có nồng độ tạp chất của 5 × 1018, 2 × 1017, và 1016 cm-3 trong emitter, cơ sở, và thu, tương ứng. Chiều rộng cơ sở là 1,0 mm và các khu vực thiết bị cắt ngang là 0,2 mm2 đường giao nhau là phía trước thành kiến đến 0,5 V và các cơ sở-collector ngã ba là ngược lại thiên vị đến 5 V, tính toán (a) cơ sở trung lập chiều rộng và (b) các dân tộc thiểu số nồng độ tàu sân bay ở ngã ba emitter-base.. Khi emitter-base