Under no-bias (no applied voltage)

Under no-bias (no applied voltage) conditions, any minority carriers (holes) in the n-type material that find themselves within the depletion region will pass directly into the p-type material. The closer the minority carrier is to the junction, the greater the attraction for the layer of negative ions and the less the opposition of the positive ions in the depletion region of the n-type material. For the purposes of future discussions we shall assume that all the minority carriers of the n-type material that find themselves in the depletion region due to their random motion will pass directly into the p-type material. Similar discussion can be applied to the minority carriers (electrons) of the p-type material. This carrier flow has been indicated in Fig. 1.14 for the minority carriers of each material.
The majority carriers (electrons) of the n-type material must overcome the attractive forces of the layer of positive ions in the n-type material and the shield of negative ions in the p-type material to migrate into the area beyond the depletion region of the p-type material. However, the number of majority carriers is so large in the n-type material that there will invariably be a small number of majority carriers with sufficient kinetic energy to pass through the depletion region into the p-type material. Again, the same type of discussion can be applied to the majority carriers (holes) of the p-type material. The resulting flow due to the majority carriers is also shown in Fig. 1.14.
A close examination of Fig. 1.14 will reveal that the relative magnitudes of the flow vectors are such that the net flow in either direction is zero. This cancellation of vectors has been indicated by crossed lines. The length of the vector representing hole flow has been drawn longer than that for electron flow to demonstrate that the magnitude of each need not be the same for cancellation and that the doping levels for each material may result in an unequal carrier flow of holes and electrons. In summary, therefore:

Kết quả (Việt) 1:

Trong điều kiện không thiên vị (không có điện áp ứng dụng), bất kỳ thiểu số tàu sân bay (lỗ) trong vật liệu n-loại mà thấy mình trong khu vực của sự suy giảm sẽ vượt qua trực tiếp vào các vật liệu kiểu p. Gần hơn chiếc tàu sân bay thiểu số là để giao lộ, lớn hơn sự hấp dẫn cho các lớp của các ion âm và ít sự chống đối của các ion tích cực trong vùng sự suy giảm của n-loại vật liệu. Cho các mục đích của cuộc thảo luận trong tương lai, chúng tôi sẽ giả định rằng tất cả các dân tộc thiểu số tàu sân bay của n-loại vật liệu mà tìm thấy chính mình trong vùng sự suy giảm do chuyển động ngẫu nhiên của họ sẽ vượt qua trực tiếp vào các vật liệu kiểu p. Tương tự như các cuộc thảo luận có thể được áp dụng cho các tàu sân bay thiểu số (điện tử) của vật liệu kiểu p. Dòng tàu sân bay này đã được chỉ ra ở hình 1,14 cho các tàu sân bay thiểu số của mỗi tài liệu.Các tàu sân bay đa (điện tử) của vật liệu n-loại phải vượt qua các lực hấp dẫn của các lớp của tích cực các ion trong n-loại vật liệu và lá chắn của ion âm trong vật liệu kiểu p để di chuyển vào khu vực vượt ra ngoài vùng sự suy giảm của vật liệu kiểu p. Tuy nhiên, số lượng lớn tàu sân bay là rất lớn trong vật liệu n-loại sẽ luôn có một số ít của đa số tàu sân bay với đủ năng lượng động lực để đi qua vùng sự suy giảm thành các vật liệu kiểu p. Một lần nữa, cùng loại của các cuộc thảo luận có thể được áp dụng cho các tàu sân bay đa (lỗ) của vật liệu kiểu p. Dòng kết quả do các tàu sân bay đa cũng được thể hiện trong hình 1.14.Một kiểm tra kỹ của hình 1,14 sẽ tiết lộ rằng magnitudes tương đối của các dòng chảy vectơ có như vậy mà dòng chảy net trong hai hướng là zero. Này hủy bỏ của vector đã được chỉ ra bởi crossed dòng. Chiều dài của vectơ đại diện cho dòng chảy lỗ đã được rút ra còn hơn thế cho điện tử dòng chảy để chứng minh tầm quan trọng của mỗi người không cần phải giống nhau cho hủy bỏ và rằng các cấp doping cho mỗi tài liệu có thể dẫn đến một dòng tàu sân bay bất bình đẳng của lỗ và điện tử. Tóm lại, do đó:

Kết quả (Việt) 2:

Dưới không thiên vị (không có điện áp đặt) điều kiện, bất kỳ tàu sân thiểu số (lỗ) trong vật liệu loại n mà thấy mình trong các vùng nghèo sẽ đi trực tiếp vào vật liệu p-type. Càng gần các tàu sân bay thiểu số là đến ngã ba, càng hấp dẫn đối với các lớp của các ion âm và ít sự phản đối của các ion dương trong vùng nghèo của vật liệu n-type. Đối với các mục đích của cuộc thảo luận tương lai chúng tôi sẽ giả định rằng tất cả các tàu sân bay thiểu số của vật liệu n-loại mà tìm thấy chính mình trong vùng nghèo do chuyển động ngẫu nhiên của họ sẽ vượt qua trực tiếp vào vật liệu p-type. Thảo luận tương tự có thể được áp dụng cho các tàu sân bay thiểu số (electron) của vật liệu p-type. Lưu lượng tàu sân bay này đã được chỉ ra trong hình. 1.14 cho các tàu sân bay thiểu số của từng nguyên liệu.
Các tàu sân bay lớn (electron) của vật liệu n-loại phải vượt qua các lực hấp dẫn của các lớp của các ion dương trong vật liệu loại n và lá chắn của các ion âm trong vật liệu loại p để di chuyển vào khu vực vượt ra ngoài khu vực suy giảm của vật liệu p-type. Tuy nhiên, số lượng các nhà cung cấp phần lớn là rất lớn trong vật liệu loại n rằng sẽ luôn có một số lượng nhỏ của các hãng lớn có đủ năng lượng động lực để vượt qua thông qua các vùng nghèo vào vật liệu p-type. Một lần nữa, cùng loại của các cuộc thảo luận có thể được áp dụng cho các tàu sân bay lớn (lỗ) của vật liệu p-type. Kết quả là dòng chảy do các tàu sân bay đa cũng được hiển thị trong hình. 1.14.
Một kiểm tra chặt chẽ của hình. 1.14 sẽ tiết lộ rằng độ lớn tương đối của các vectơ dòng chảy là như vậy mà các dòng chảy ròng trong hai hướng là số không. Hủy bỏ này của vectơ đã được chỉ định bởi các đường chéo. Chiều dài của vector đại diện cho dòng chảy lỗ đã được rút ra dài hơn cho dòng điện tử để chứng minh rằng độ lớn của mỗi không cần phải giống nhau cho hủy bỏ và cấp doping cho từng loại vật liệu có thể dẫn đến một dòng chảy hãng không công bằng các lỗ và electron . Tóm lại, do đó: