As evoked above, replacing AlGaN by

As evoked above, replacing AlGaN by AlInN as an alternative lattice-matched barrier can further improve the electron transport in GaN-based transistors. Indeed, drain current values achieving 2 A/mm were recently obtained [42]. Furthermore, when downscaling the gate length, thin barriers are required in order to avoid the detrimental effects of interface and bulk defects.

Kết quả (Việt) 1:

Như gợi lên phía trên, thay thế AlGaN bằng AlInN như là một thay thế phù hợp lưới rào cản có thể tiếp tục cải thiện vận chuyển điện tử trong bóng bán dẫn dựa trên GaN. Thật vậy, giá trị hiện tại cống đạt 2 A/mm mới đã được [42]. Hơn nữa, khi downscaling chiều dài cửa, rào cản mỏng được yêu cầu để tránh những tác động bất lợi của giao diện và số lượng lớn các khiếm khuyết.

Kết quả (Việt) 2:

Như gợi lên trên, thay thế AlGaN bởi AlInN như một hàng rào lưới kết hợp thay thế có thể cải thiện hơn nữa việc vận chuyển điện tử trong bán dẫn GaN trên. Thật vậy, nước từ các giá trị hiện tại đạt được 2 A / mm gần đây đã thu được [42]. Hơn nữa, khi downscaling chiều dài cổng, hàng rào mỏng được yêu cầu để tránh những tác động có hại của các giao diện và các khuyết tật với số lượng lớn.