Photojunction sensors are formed from p-n junctions and are usually made of silicon. If a photon has enough energy to jump the band gap, hole-electron pairs are produced that modify the junction characteristics.
Cảm biến Photojunction được hình thành từ liên kết p-n và thường được làm bằng silicon. Nếu một photon có đủ năng lượng để nhảy gap ban nhạc, cặp lỗ điện tử được sản xuất mà sửa đổi các đặc điểm giao lộ.
cảm biến Photojunction được hình thành từ các mối nối pn và thường được làm bằng silicon. Nếu một photon có năng lượng đủ để nhảy khoảng cách ban nhạc, cặp lỗ-điện tử được sản xuất làm thay đổi các đặc điểm giao nhau.