We turn now to a discussion of the

We turn now to a discussion of the Fermi energy in semiconductors. We learned in Section 6.2 that the Fermi energy is that energy for which the Fermi distribution function equals 12. (It is advisable to keep only this “definition” of the Fermi energy in mind. Any other definition which might give a correct understanding for metals could cause confusion for semiconductors!) The probability that any state in the valence band of an intrinsic semiconductor at T 1⁄4 0 K is occupied by electrons is 100%, i.e., F(E) 1⁄4 1 for E < Ev (Fig. 8.3). At higher temperatures, however, some of the electrons close to the top of the valence band have been excited into the conduction band. As a consequence, the probability function F(E) is slightly reduced at the top of the valence band for T > 0 K.

Kết quả (Việt) 1:

Chúng tôi bây giờ chuyển sang một cuộc thảo luận của lượng Fermi, chất bán dẫn. Chúng tôi đã học được trong phần 6.2 rằng năng lượng Fermi là năng lượng mà chức năng phân phối Fermi bằng 12. (Nó được khuyến khích để giữ chỉ này "định nghĩa" của năng lượng Fermi trong tâm trí. Bất kỳ định nghĩa khác mà có thể cung cấp cho một sự hiểu biết chính xác cho các kim loại có thể gây nhầm lẫn cho chất bán dẫn!) Xác suất rằng bất kỳ nhà nước của một bán dẫn nội tại tại T 1⁄4 0 K bị chiếm đóng bởi electron hóa trị, ban nhạc là 100%, tức là, F(E) 1⁄4 1 cho E < Ev (hình 8.3). Ở nhiệt độ cao hơn, Tuy nhiên, một số của các điện tử gần đầu của ban nhạc hóa trị có được vui mừng vào ban nhạc dẫn. Kết quả là, các chức năng xác suất F(E) hơi giảm ở đầu của ban nhạc valence cho T > 0 K.

Kết quả (Việt) 2:

Chúng tôi quay về một cuộc thảo luận về năng lượng Fermi trong chất bán dẫn. Chúng tôi đã học được trong Phần 6.2 rằng năng lượng Fermi là năng lượng mà hàm phân bố Fermi bằng 12. (Đó là khuyến khích để giữ chỉ này "định nghĩa" của năng lượng Fermi trong tâm trí. Bất kỳ định nghĩa khác mà có thể cung cấp một sự hiểu biết chính xác cho kim loại có thể gây nhầm lẫn cho các chất bán dẫn!) Xác suất mà bất kỳ nhà nước trong vùng hóa trị của một chất bán dẫn nội tại T 1/4 0 K là chiếm đóng bởi các electron là 100%, tức là F (E) 1/4 1 cho E <Ev ( Hình. 8.3). Ở nhiệt độ cao hơn, tuy nhiên, một số electron gần đỉnh của vùng hóa trị đã được kích thích vào vùng dẫn. Kết quả là, các chức năng xác suất F (E) được giảm nhẹ ở đầu dải hóa trị cho T> 0 K.