The PIN photodetector consists of p

The PIN photodetector consists of p- and n-type semiconductor materials separated
by a very lightly n-doped intrinsic region [12] In normal operating conditions, a
sufficiently large reverse bias voltage is applied across the device as shown in the

Kết quả (Việt) 1:

PIN photodetector bao gồm vật liệu bán dẫn kiểu p và n tách ratheo một rất nhẹ n doped nội tại vùng [12] trong bình thường hoạt động điều kiện, mộtđủ lớn điện áp đảo ngược thiên vị được áp dụng trên thiết bị, như minh hoạ trong các

Kết quả (Việt) 2:

Các bộ tách sóng quang PIN bao gồm các vật liệu bán dẫn p và n-type tách ra
bởi một rất nhẹ n-doped khu vực nội [12]? Trong điều kiện hoạt động bình thường, một
điện áp phân cực đủ lớn ngược được áp dụng trên các thiết bị như trong các