The adjacent metallic fingers are d

The adjacent metallic fingers are differently biased so that an electric field is created in semiconductor and the carriers generated by light absorption are fast collected by drift to the electrodes. An important drawback of the typical MSM-PD is a low responsivity determined by the active area shadowing due to using opaque metallic electrodes. In order to enhance the MSM-PD response the transparent electrodes are a good solution. The transparent conducting oxides (TCO) like indium-tin-oxide (ITO), cadmi- um-tin-oxide (CTO), zinc oxide (ZnO) have the advantage that they can be obtained chemically stable and easily deposited on different semiconductor substrates (Si, InGaAs, GaAs), [1,2]. ZnO is one of the most promising materials for transparent electrodes since it is a wide bandgap (3.37 eV at room temperature) semicon¬ductor, it can be doped in order to achieve a low resistivity and it is cheaper than any other TCO. ZnO layers can be easily etched in acids and alkalis solutions in order to be patterned with different geometries for obtaining small-size photodetector structures. Several deposition and growth techniques such as radiofrequency (rf), laser ablation, spray pyrolysis, CVD, MOCVD, evaporating were used to obtain ZnO thin film [3,4].

Kết quả (Việt) 1:

Các ngón tay kim loại liền kề là thiên vị một cách khác nhau để cho một điện trường được tạo ra trong bán dẫn và các tàu sân bay được tạo ra bởi sự hấp thụ ánh sáng đang nhanh chóng thu thập bởi trôi dạt đến các điện cực. Một nhược điểm quan trọng của MSM-PD điển hình là một responsivity thấp được xác định bởi các khu vực hoạt động theo dõi do sử dụng que kim loại đục. Để tăng cường các phản ứng MSM-PD các điện cực minh bạch là một giải pháp tốt. Trong suốt các ôxít tiến hành (TCO) như indium-thiếc-ôxít (ITO), cadmi-um-tin-ôxít (CTO), kẽm ôxít (ZnO) có lợi thế mà họ có thể được lấy về mặt hóa học ổn định và dễ dàng gửi trên các chất nền khác nhau bán dẫn (Si, InGaAs, GaAs), [1,2]. ZnO là một trong các tài liệu hứa hẹn nhất cho minh bạch điện cực vì nó là một semicon¬ductor rộng bandgap (có 3,37 eV ở nhiệt độ phòng), nó có thể được doped để đạt được một điện trở suất thấp và nó là rẻ hơn so với bất kỳ TCO khác. ZnO lớp có thể được dễ dàng khắc axit và kiềm giải pháp để được khuôn mẫu với hình khác nhau để đạt được kích thước nhỏ photodetector cấu trúc. Một số lắng đọng và phát triển kỹ thuật chẳng hạn như radiofrequency (rf), laser cắt bỏ, phun nhiệt phân, CVD, MOCVD, bốc hơi được sử dụng để có được ZnO màng mỏng [3,4].

Kết quả (Việt) 2:

Các ngón tay kim loại liền kề được thiên vị khác nhau để một điện trường được tạo ra trong chất bán dẫn và các tàu sân bay được tạo ra bởi sự hấp thụ ánh sáng được nhanh chóng bằng cách thu thập để trôi dạt các điện cực. Một hạn chế quan trọng của tiêu biểu MSM-PD là một báo động thấp được xác định bởi các khu vực hoạt động shadowing do sử dụng điện cực kim loại đục. Để tăng cường phản ứng MSM-PD các điện cực trong suốt là một giải pháp tốt. Các oxit dẫn điện trong suốt (TCO) như indium-thiếc oxit (ITO), cadmi-um-tin-oxide (CTO), oxit kẽm (ZnO) có lợi thế là họ có thể thu được ổn định về mặt hóa học và dễ dàng lắng đọng trên bề mặt chất bán dẫn khác nhau (Si, InGaAs, GaAs), [1,2]. ZnO là một trong những vật liệu hứa hẹn nhất cho điện cực trong suốt vì nó là một bandgap rộng (3,37 eV ở nhiệt độ phòng) semicon ¬ ductor, nó có thể được pha tạp để đạt được một điện trở suất thấp và nó là rẻ hơn so với bất kỳ TCO khác. Lớp ZnO có thể dễ dàng khắc axit và các giải pháp kiềm để được khuôn mẫu với hình học khác nhau để đạt được kích thước nhỏ cấu trúc bộ tách sóng quang. Một số lắng đọng và tăng trưởng kỹ thuật như tần số vô tuyến (RF), cắt đốt bằng laser, phun nhiệt phân, bệnh tim mạch, MOCVD, bay hơi đã được sử dụng để có được ZnO màng mỏng [3,4].