The significance of Eq. (1.7) must

The significance of Eq. (1.7) must be clearly understood. It implies that the dynamic resistance can be found simply by substituting the quiescent value of the diode current into the equation. There is no need to have the characteristics available or to worry about sketching tangent lines as defined by Eq. (1.6). It is important to keep
in mind, however, that Eq. (1.7) is accurate only for values of ID in the vertical-rise section of the curve. For lesser values of ID, μ = 2 (silicon) and the value of rd obtained must be multiplied by a factor of 2. For small values of ID below the knee of the curve, Eq. (1.7) becomes inappropriate.
All the resistance levels determined thus far have been defined by the p-n junction and do not include the resistance of the semiconductor material itself (called body resistance) and the resistance introduced by the connection between the semiconductor material and the external metallic conductor (called contact resistance). These ad-
ditional resistance levels can be included in Eq. (1.7) by adding resistance denoted by rB as appearing in Eq. (1.8). The resistance rd', therefore, includes the dynamic resistance defined by Eq. 1.7 and the resistance rB just introduced.

Kết quả (Việt) 1:

Ý nghĩa của Eq. (1.7) phải được hiểu rõ ràng. Nó ngụ ý rằng sự kháng cự năng động có thể được tìm thấy chỉ đơn giản bằng cách thay thế giá trị quiescent của các diode hiện tại vào phương trình. Có là không cần phải có các đặc tính có sẵn hoặc phải lo lắng về phác thảo ốp dòng theo định nghĩa của Eq. (1. 6). Nó là quan trọng để giữ chotrong tâm trí, Tuy nhiên, rằng Eq. (1.7) là chính xác chỉ cho giá trị của ID trong phần dọc-sự nổi lên của đường cong. Cho các giá trị thấp hơn của ID, μ = 2 (silic) và giá trị của rd thu được phải được nhân của một yếu tố của 2. Giá trị nhỏ của ID dưới đầu gối của đường cong, Eq. (1.7) sẽ trở thành không phù hợp.Tất cả các mức kháng cự quyết định vậy, đến nay đã được xác định bởi giao lộ p-n và có sức đề kháng của vật liệu bán dẫn chính nó (được gọi là cơ thể kháng) và khả năng chống giới thiệu bởi kết nối giữa vật liệu bán dẫn và kim loại dẫn bên ngoài (được gọi là liên lạc kháng). Các quảng cáo-mức kháng cự ditional có thể được bao gồm trong Eq. (1.7) bằng cách thêm sức đề kháng được biểu thị bởi rB như xuất hiện trong Eq. (1. 8). Rd kháng ', do đó, bao gồm động kháng được xác định bởi Eq. 1.7 và sức đề kháng rB vừa giới thiệu.

Kết quả (Việt) 2:

Ý nghĩa của phương trình. (1.7) phải được hiểu rõ. Nó ám chỉ rằng các kháng năng động có thể tìm thấy chỉ đơn giản bằng cách thay thế các giá trị hoạt động gì của diode hiện vào phương trình. Không cần phải có các đặc điểm có sẵn hoặc lo lắng về phác thảo đường tiếp tuyến theo định nghĩa của phương trình. (1.6). Điều quan trọng là để giữ
trong tâm trí, tuy nhiên, Eq. (1.7) là chính xác chỉ cho giá trị của ID trong phần dọc tầng của đường cong. Đối với giá trị thấp hơn của các ID, μ = 2 (silicon) và giá trị của thứ thu được phải được nhân với một hệ số 2. Đối với giá trị nhỏ của ID dưới đầu gối của đường cong, Eq. (1.7) trở nên không phù hợp.
Tất cả các mức kháng cự được xác định cho đến nay đã được xác định bởi các đường giao nhau pn và không bao gồm sức đề kháng của vật liệu bán dẫn riêng của mình (gọi là đề kháng cơ thể) và mức kháng cự được giới thiệu bởi các kết nối giữa các vật liệu bán dẫn và bên ngoài dây dẫn kim loại (gọi là điện trở tiếp xúc). Những quảng cáo-
mức kháng cự ditional có thể được bao gồm trong phương trình. (1.7) bằng cách thêm điện trở biểu thị bằng Rb như xuất hiện trong biểu thức. (1.8). Các kháng rd ', do đó, bao gồm các kháng động được xác định bởi phương trình. 1.7 và Rb kháng vừa giới thiệu.