Escape peaks are produced when inst

Escape peaks are produced when instead of all of the energy of an incoming X-ray being converted to electron-hole pairs, a Si Kα X-ray is generated from the silicon detector crystal. The energy measured for the incoming X-ray is reduced by the magnitude of the Si Kα X-ray, i.e. 1.74 keV, and an escape peak is detected in the ED spectrum. Less than 2% of incoming X-rays will fluoresce Si Kα X-rays, so escape peaks form minor peaks located at an energy 1.74 keV less than the energy of related major peaks in the spectrum.

Kết quả (Việt) 1:

Đỉnh núi thoát được sản xuất khi thay vào đó của tất cả năng lượng của một x-quang đến được chuyển đổi sang cặp điện tử-lỗ, x-quang Kα Si được tạo ra từ các máy dò silic tinh thể. Năng lượng đo cho x-quang đến là giảm tầm quan trọng của tia x Kα Si, tức là 1.74 keV, và một cao điểm thoát được phát hiện trong quang phổ ED. Ít hơn 2% đến x-quang sẽ fluoresce Si Kα x-quang, để thoát khỏi đỉnh hình thức tiểu đỉnh núi nằm ở một năng lượng 1,74 keV ít hơn năng lượng liên quan đến đỉnh núi lớn trong quang phổ.

Kết quả (Việt) 2:

Thoát khỏi đỉnh núi được tạo ra khi thay vì tất cả năng lượng của một đến X-ray đang được chuyển đổi electron-lỗ cặp, một Si Kα X-ray được tạo ra từ các tinh thể dò silicon. Năng lượng đo cho đến X-ray là giảm độ lớn của Si Kα X-ray, tức là 1,74 keV, và một đỉnh thoát được phát hiện trong phổ ED. Ít hơn 2% đến X-quang sẽ phát huỳnh quang Si Kα X-quang, vì vậy tránh được những đỉnh núi tạo thành đỉnh núi nhỏ nằm tại một năng lượng 1,74 keV ít hơn năng lượng của pic chính có liên quan trong quang phổ.