The oat zone technique is suited fo

The
oat zone technique is suited for small wafer production, with low oxygen
impurity. The schematic of the process is shown in gure 6. A polycrystalline
EGS rod is fused with the single crystal seed of desired orientation. This is
taken in an inert gas furnace and then melted along the length of the rod
by a traveling radio frequency (RF) coil. The RF coil starts from the fused
region, containing the seed, and travels up, as shown in gure 6. When
the molten region solidies, it has the same orientation as the seed. The
furnace is lled with an inert gas like argon to reduce gaseous impurities.
Also, since no crucible is needed it can be used to produce oxygen 'free' Si
wafers. The diculty is to extend this technique for large wafers, since the
process produces large number of dislocations. It is used for small specialty
applications requiring low oxygen content wafers.

Kết quả (Việt) 1:

Các yến mạch khu kỹ thuật phù hợp với sản xuất wafer nhỏ, với oxy thấptạp chất. Sơ đồ quy trình được thể hiện trong gure 6. Một polycrystallineEGS rod là hợp nhất với hạt tinh thể duy nhất về định hướng mong muốn. Điều này làthực hiện trong lò khí trơ và sau đó chảy dọc theo chiều dài của thanhbởi một cuộn dây taàn soá voâ tuyeán (RF) đi du lịch. Các cuộn dây RF bắt đầu từ sự hợp nhấtkhu vực, có chứa các hạt giống, và đi lên, như thể hiện trong gure 6. Khies solidi vùng nóng chảy, có định hướng tương tự như hạt giống. Cáclò là lled với một khí trơ như agon để giảm bớt tạp chất khí.Ngoài ra, kể từ khi không có nồi nấu kim loại cần nó có thể được sử dụng để sản xuất oxy 'miễn phí' Sitấm. Di culty là để mở rộng các kỹ thuật này cho tấm lớn, kể từ khi cácquá trình sản xuất số lượng dislocations lớn. Nó được sử dụng cho nhỏ đặc biệtứng dụng đòi hỏi phải có oxy thấp nội dung tấm.

Kết quả (Việt) 2:

Các
kỹ thuật khu yến mạch là phù hợp cho sản xuất wafer nhỏ, với lượng oxy thấp
tạp chất. Các sơ đồ của quá trình này được thể hiện trong Hình vẽ 6. đa tinh
que EGS được hợp nhất với hạt tinh thể duy nhất của hướng mong muốn. Điều này được
thực hiện trong một lò khí trơ và sau đó tan chảy dọc theo chiều dài của thanh
bởi một tần số đi du lịch vô tuyến (RF) cuộn dây. Các cuộn dây RF bắt đầu từ hợp nhất
khu vực, có chứa các hạt giống, và đi lên, như thể hiện trong Hình vẽ 6. Khi
các solidi vùng nóng chảy es, nó có cùng một định hướng như hạt giống. Các
lò lled với một khí trơ như argon để giảm tạp chất khí.
Ngoài ra, vì không có thử thách là cần thiết nó có thể được sử dụng để tạo ra oxy 'miễn phí' Si
tấm wafer. Các di? Gặp khó là để mở rộng kỹ thuật này cho các tấm lớn, kể từ khi
quá trình sản xuất số lượng lớn các lệch mạng. Nó được sử dụng cho đặc sản nhỏ
ứng dụng đòi hỏi tấm hàm lượng oxy thấp.