As an experimental support, we have

As an experimental support, we have used direct current measurements carried out on AlInN/AlN/GaN HEMTs with different barrier thicknesses. In order to valid the electric model, we have included the trapping effects induced by deep donors.

Kết quả (Việt) 1:

Như là một hỗ trợ thực nghiệm, chúng tôi đã sử dụng phép đo trực tiếp hiện tại thực hiện trên AlN-AlInN-GaN HEMTs với độ dày khác nhau hàng rào. Để hiệu lực các mô hình điện, chúng tôi đã bao gồm những bẫy ảnh hưởng gây ra bởi các nhà tài trợ sâu.

Kết quả (Việt) 2:

Là một thử nghiệm hỗ trợ, chúng tôi đã sử dụng các phép đo hiện trực tiếp thực hiện trên HEMTs AlInN / AlN / GaN có độ dày rào cản khác nhau. Để hợp lệ mô hình điện, chúng tôi đã bao gồm các hiệu ứng bẫy gây ra bởi các nhà tài trợ sâu.