Power-up and initialization sequenc

Power-up and initialization sequence
The following sequence is required for Power-up and Initialization.
a) Either one of the following sequence is required for Power-up.
a1) While applying power, attempt to maintain CKE below 0.2 x VDDQ and ODT*1 at a LOW state (all other
inputs may be undefined.) The VDD voltage ramp time must be no greater than 200 ms from when VDD ramps
from 300 mV to VDD min; and during the VDD voltage ramp, |VDD-VDDQ| ≤ 0.3 volts. Once the ramping of
the supply voltages is complete (when VDDQ crosses VDDQ min), the supply voltage specifications provided
in section 6, Table 17 Recommended DC operating conditions (SSTL_1.8), prevail.
- VDD, VDDL and VDDQ are driven from a single power converter output, AND
- VTT is limited to 0.95 V max, AND
- Vref tracks VDDQ/2, VREF must be within +/- 300 mV with respect to VDDQ/2 during supply ramp time.
- VDDQ ≥ VREF must be met at all times.
a2) While applying power, attempt to maintain CKE below 0.2 x VDDQ and ODT*1 at a LOW state, all other
inputs may be undefined, voltage levels at I/Os and outputs must be less than VDDQ during voltage ramp time
to avoid DRAM latch-up. During the ramping of the supply voltages, VDD ≥ VDDL ≥ VDDQ must be
maintained and is applicable to both AC and DC levels until the ramping of the supply voltages is complete,
which is when VDDQ crosses VDDQ min. Once the ramping of the supply voltages is complete, the supply
voltage specifications provided in section 6, Table 17 Recommended DC operating conditions (SSTL_1.8),
prevail.
- Apply VDD/VDDL before or at the same time as VDDQ.
- VDD/VDDL voltage ramp time must be no greater than 200 ms from when VDD ramps from 300 mV to
VDD min
- Apply VDDQ before or at the same time as VTT.
- The VDDQ voltage ramp time from when VDD min is achieved on VDD to when VDDQ min is achieved
on VDDQ must be no greater than 500 ms.
(Note: While VDD is ramping, current may be supplied from VDD through the DRAM to VDDQ.)
- Vref must track VDDQ/2, Vref must be within +/- 300 mv with respect to VDDQ/2 during supply ramp
time.
- VDDQ ≥ VREF must be met at all times.
- Apply VTT.
- The VTT voltage ramp time from when VDDQ min is achieved on VDDQ to when VTT min is achieved on
VTT must be no greater than 500 ms.
b) Start clock and maintain stable condition.
c) For the minimum of 200 us after stable power (VDD, VDDL, VDDQ, VREF and VTT are between their
minimum and maximum values as stated in section 6, Table 17 Recommended DC operating conditions
(SSTL_1.8)) and stable clock (CK, CK), then apply NOP or Deselect & take CKE HIGH.
d) Wait minimum of 400 ns then issue precharge all command. NOP or Deselect applied during 400 ns period.
e) Issue an EMRS command to EMR(2). (To issue EMRS command to EMR(2), provide LOW to BA0 and BA2,
HIGH to BA1.)
f) Issue an EMRS command to EMR(3). (To issue EMRS command to EMR(3), provide LOW to BA2, HIGH to
BA0 and BA1.)
g) Issue EMRS to enable DLL. (To issue DLL Enable command, provide LOW to A0, HIGH to BA0 and LOW to
BA1-BA2 and A13-A15. And A9=A8=A7=LOW must be used when issuing this command.)
h) Issue a Mode Register Set command for DLL reset.
(To issue DLL Reset command, provide HIGH to A8 and LOW to BA0-BA2, and A13-A15.)
i) Issue a precharge all command.
j) Issue 2 or more auto-refresh commands.
k) Issue a MRS command with LOW to A8 to initialize device operation. (i.e. to program operating parameters

Kết quả (Việt) 1:

Quyền lực-up và khởi tạo ChuỗiTrình tự sau đây là cần thiết cho quyền lực-up và khởi tạo.a) hoặc là một trong các trình tự sau đây là cần thiết cho quyền lực-up.A1) trong khi áp dụng quyền lực, cố gắng duy trì CKE dưới 0,2 x VDDQ và ODT * 1 tại một bang thấp (Tất cả cácyếu tố đầu vào có thể không xác định.) Thời gian đoạn đường điện áp VDD phải không lớn hơn 200 ms từ khi VDD dốctừ 300 mV VDD phút; và trong đoạn đường điện áp VDD, | VDD-VDDQ | ≤ cách 0.3 volt. Một lần là ramping củađiện áp cung cấp là hoàn thành (khi VDDQ qua VDDQ min), các nguồn cung cấp điện áp thông số kỹ thuật được cung cấptrong phần 6, bảng 17 khuyến cáo DC điều kiện hoạt động (SSTL_1.8), ưu tiên áp dụng.-VDD, VDDL và VDDQ được điều khiển từ một nguồn duy nhất chuyển đổi ra, và-VTT là 0,95-V-max, và-Theo dõi Vref VDDQ/2, VREF phải đặt cách + /-300 mV đối với VDDQ/2 trong cung cấp đoạn đường thời gian.-VDDQ ≥ VREF phải được đáp ứng mọi lúc.A2) trong khi áp dụng quyền lực, cố gắng duy trì CKE dưới 0,2 x VDDQ và ODT * 1 tại một nhà nước thấp, tất cả cácyếu tố đầu vào có thể không xác định, các cấp điện áp tại I/Os và kết quả đầu ra phải nhỏ hơn VDDQ trong điện áp đoạn đường thời gianđể tránh DRAM chốt-up. Trong thời gian ramping điện áp cung cấp, VDD ≥ VDDL ≥ VDDQ phảiduy trì và được áp dụng cho cả hai AC và DC cấp cho đến khi ramping điện áp cung cấp đầy đủ,đó là khi đi qua VDDQ VDDQ min. Một khi ramping điện áp cung cấp đầy đủ, cung cấpvoltage specifications provided in section 6, Table 17 Recommended DC operating conditions (SSTL_1.8),prevail.- Apply VDD/VDDL before or at the same time as VDDQ.- VDD/VDDL voltage ramp time must be no greater than 200 ms from when VDD ramps from 300 mV toVDD min- Apply VDDQ before or at the same time as VTT.- The VDDQ voltage ramp time from when VDD min is achieved on VDD to when VDDQ min is achievedon VDDQ must be no greater than 500 ms.(Note: While VDD is ramping, current may be supplied from VDD through the DRAM to VDDQ.)- Vref must track VDDQ/2, Vref must be within +/- 300 mv with respect to VDDQ/2 during supply ramptime.- VDDQ ≥ VREF must be met at all times.- Apply VTT.- The VTT voltage ramp time from when VDDQ min is achieved on VDDQ to when VTT min is achieved onVTT must be no greater than 500 ms.b) Start clock and maintain stable condition.c) For the minimum of 200 us after stable power (VDD, VDDL, VDDQ, VREF and VTT are between theirminimum and maximum values as stated in section 6, Table 17 Recommended DC operating conditions(SSTL_1.8)) and stable clock (CK, CK), then apply NOP or Deselect & take CKE HIGH.d) Wait minimum of 400 ns then issue precharge all command. NOP or Deselect applied during 400 ns period.e) Issue an EMRS command to EMR(2). (To issue EMRS command to EMR(2), provide LOW to BA0 and BA2,HIGH to BA1.)f) Issue an EMRS command to EMR(3). (To issue EMRS command to EMR(3), provide LOW to BA2, HIGH toBA0 and BA1.)g) Issue EMRS to enable DLL. (To issue DLL Enable command, provide LOW to A0, HIGH to BA0 and LOW toBA1-BA2 and A13-A15. And A9=A8=A7=LOW must be used when issuing this command.)h) Issue a Mode Register Set command for DLL reset.(To issue DLL Reset command, provide HIGH to A8 and LOW to BA0-BA2, and A13-A15.)i) Issue a precharge all command.j) Issue 2 or more auto-refresh commands.k) Issue a MRS command with LOW to A8 to initialize device operation. (i.e. to program operating parameters

Kết quả (Việt) 2:

Power-up và trình tự khởi tạo
các trình tự sau đây là cần thiết cho Power-up và khởi tạo.
A) Hoặc là một trong những trình tự sau đây là cần thiết cho Power-up.
A1) Trong khi áp dụng quyền lực, nỗ lực để duy trì CKE dưới 0.2 x VDDQ và ODT * 1 ở trạng thái LOW (tất cả các
đầu vào có thể được xác định.) Các VDD thời gian điện áp đoạn đường nối phải không lớn hơn 200 ms từ khi VDD dốc
từ 300 mV đến VDD min; và trong khi điện áp đoạn đường nối VDD, | VDD-VDDQ | ≤ 0,3 volt. Khi ramping của
điện áp cung cấp là đủ (khi VDDQ qua VDDQ phút), các thông số kỹ thuật cung cấp điện áp được cung cấp
trong phần 6, bảng 17 Đề DC điều kiện hoạt động (SSTL_1.8), ưu tiên áp dụng.
- VDD, VDDL và VDDQ được điều khiển từ một đơn điện chuyển đổi đầu ra, và
- VTT là hạn chế đến 0,95 V max, VÀ
- Vref dõi VDDQ / 2, VREF phải nằm trong khoảng +/- 300 mV đối với VDDQ / 2 trong thời gian cung cấp đoạn đường nối với.
- VDDQ ≥ VREF phải được đáp ứng ở tất cả các lần.
a2) trong khi áp dụng quyền lực, nỗ lực để duy trì CKE dưới 0.2 x VDDQ và ODT * 1 ở trạng thái LOW, tất cả các
yếu tố đầu vào có thể được xác định, cấp điện áp tại I / O và đầu ra phải nhỏ hơn VDDQ trong đoạn đường nối điện áp thời gian
để tránh DRAM chốt-up. Trong ramping của điện áp cung cấp, VDD ≥ ≥ VDDL VDDQ phải được
duy trì và áp dụng cho cả hai cấp độ AC và DC cho đến khi ramping của điện áp cung cấp là hoàn thành,
đó là khi VDDQ qua VDDQ phút. Khi ramping của điện áp cung cấp là hoàn thành, việc cung cấp
thông số kỹ thuật điện áp cung cấp trong phần 6, bảng 17 Đề xuất điều kiện hoạt động DC (SSTL_1.8),
ưu tiên áp dụng.
- Áp dụng VDD / VDDL trước hoặc cùng lúc như VDDQ.
- VDD / VDDL thời gian điện áp đoạn đường nối phải không lớn hơn 200 ms từ khi VDD dốc từ 300 mV đến
VDD min
- áp dụng VDDQ trước hoặc cùng lúc như VTT.
- điện áp VDDQ thời gian tăng từ khi VDD phút được đạt trên VDD đến khi VDDQ phút được đạt
trên VDDQ phải không lớn hơn 500 ms.
(Lưu ý:. trong khi VDD được đều nằm trong, hiện tại có thể được cung cấp từ VDD qua DRAM để VDDQ)
- Vref phải theo dõi VDDQ / 2, Vref phải nằm trong khoảng +/- 300 mv đối với VDDQ / 2 trong cung đoạn đường nối với
thời gian.
- VDDQ ≥ VREF phải được đáp ứng ở tất cả các lần.
- áp dụng VTT.
- Các VTT thời gian điện áp đoạn đường nối từ khi VDDQ phút được đạt trên VDDQ đến khi VTT phút được đạt trên
VTT phải không lớn hơn 500 ms.
b) Bắt đầu giờ và duy trì tình trạng ổn định.
c) Đối với tối thiểu là 200 chúng tôi sau khi điện ổn định (VDD, VDDL, VDDQ, VREF và VTT được giữa họ
tối thiểu và giá trị tối đa như đã nêu trong phần 6, bảng 17 Đề DC điều kiện hoạt động
(SSTL_1.8)) và đồng hồ ổn định (CK, CK), sau đó áp dụng NOP hoặc Deselect & chăm CKE CAO.
d) Chờ tối thiểu là 400 ns sau đó phát precharge tất cả các lệnh. NOP hoặc Deselect áp dụng trong 400 ns kỳ.
E) Ban hành một lệnh EMRS để EMR (2). (Ban hành lệnh EMRS để EMR (2), cung cấp LOW để BA0 và BA2,
CAO để BA1.)
F) Ban hành một lệnh EMRS để EMR (3). (Ban hành lệnh EMRS để EMR (3), cung cấp LOW để BA2, CAO để
BA0 và BA1.)
EMRS g) Phát hành để cho phép DLL. (Ban hành DLL Kích hoạt lệnh, cung cấp LOW đến A0, CAO để BA0 và LOW để
BA1-BA2 và A13-A15. Và A9 = A8 = A7 = LOW phải được sử dụng khi ban hành lệnh này.)
H) Ban hành Chế độ Đăng ký Set lệnh cho thiết lập lại DLL.
(ban hành Thiết lập lại lệnh DLL, cung cấp CAO để A8 và LOW để BA0-BA2, và A13-A15).
i) ban hành precharge tất cả các lệnh.
j) Số 2 hoặc nhiều lệnh tự động làm mới.
k) Ban hành một lệnh MRS với LOW để A8 để khởi tạo thiết bị hoạt động. (tức là chương trình thông số vận hành