nce, dependdirectly on the properti

nce, depend
directly on the properties of the depletion region of a reverse-biased pn junction. Finally, the
basic operation of the junction field-effect transistor is controlled by the width of the depletion
region of a pn junction. Because of its importance and application to many different problems,
an analysis of the depletion region of a reverse-biased pn junction is considered below. The
properties of forward-biased pn junctions are treated in Section 1.3 when bipolar-transistor
operation is described.

Kết quả (Việt) 1:

NCE, phụ thuộctrực tiếp trên các thuộc tính của vùng sự suy giảm của một giao lộ thiên vị đảo ngược pn. Cuối cùng, cácCác hoạt động cơ bản của lĩnh vực giao lộ - bóng bán dẫn có hiệu lực được kiểm soát bởi chiều rộng của sự suy giảmkhu vực của một đường giao nhau pn. Bởi vì tầm quan trọng của nó và các ứng dụng đến nhiều vấn đề khác nhau,một phân tích của vùng sự suy giảm của một giao lộ thiên vị đảo ngược pn được coi là dưới đây. Cácthuộc tính của nút chuyển tiếp thiên vị pn được điều trị trong phần 1,3 khi bóng bán dẫn lưỡng cựchoạt động được mô tả.

Kết quả (Việt) 2:

nce, phụ thuộc
trực tiếp vào tính chất của các vùng nghèo của một ngã ba pn ngược thiên vị. Cuối cùng, các
hoạt động cơ bản của đường giao nhau transistor hiệu ứng trường được kiểm soát bởi chiều rộng của sự suy giảm
khu vực của một tiếp giáp pn. Do tầm quan trọng và ứng dụng của nó đến nhiều vấn đề khác nhau,
một phân tích về các vùng nghèo của một ngã ba pn ngược thiên vị được xem xét dưới đây. Các
tính chất của các mối nối pn forward-biased đang được điều trị tại mục 1.3 khi lưỡng cực transistor
hoạt động được mô tả.