The detector is reverse-biased, rem

The detector is reverse-biased, removing any free charge carriers from the intrinsic
region. Under this condition no current should flow since there are no charge carriers
in the intrinsic region. However, the band-gap between the valence band and the conduction
band is small, only 1.1 eV for Si(Li). At room temperature, thermally generated
charge carriers cross this barrier easily and become conductive even with no X-ray
photons striking the detector.

Kết quả (Việt) 1:

Các máy dò là đảo ngược-thiên vị, loại bỏ bất kỳ tàu sân bay miễn phí từ các nội tạikhu vực. Dưới điều kiện này hiện tại không có nên dòng chảy vì không có tàu sân bay phítrong vùng nội tại. Tuy nhiên, ban nhạc khoảng cách giữa ban nhạc hóa trị và dẫnBan nhạc là nhỏ, chỉ cách 1.1 eV cho Si(Li). Ở nhiệt độ phòng, nhiệt tạo ratàu sân bay phí vượt qua rào cản này một cách dễ dàng và trở thành dẫn ngay cả với không có x-quangphoton tấn công các máy dò.

Kết quả (Việt) 2:

Các máy dò được đảo ngược thiên vị, loại bỏ bất kỳ các hạt mang điện tự do từ bên trong
khu vực. Dưới điều kiện này không có dòng chảy nên vì không có các hạt mang điện
trong khu vực nội tại. Tuy nhiên, ban nhạc-khoảng cách giữa vùng hóa trị và dẫn
ban nhạc là nhỏ, chỉ 1,1 eV cho Si (Li). Ở nhiệt độ phòng, nhiệt tạo ra
các hạt mang điện qua rào cản này một cách dễ dàng và trở nên dẫn điện thậm chí không có X-ray
photon đập vào detector.