The formation and reactivity of Sto

The formation and reactivity of Stone-Wales defects in freestanding silicene is studied by ab initio calculations. It is found that silicene with SW defects is semiconducting with direct band gap of 0.02 eV.

Kết quả (Việt) 1:

Sự hình thành và các phản ứng Stone-Wales khiếm khuyết trong rẽ silice nghiên cứu bởi ab initio tính toán. Nó được tìm thấy rằng silice với Nam và khiếm khuyết là semiconducting với trực tiếp ban nhạc khoảng cách của 0,02 eV.

Kết quả (Việt) 2:

Sự hình thành và phản ứng của các khuyết tật đá Xứ Wales trong freestanding silicene được nghiên cứu bởi ab initio tính toán. Nó được tìm thấy rằng silicene với dị tật bẩm SW bán dẫn với khoảng cách ban nhạc trực tiếp 0,02 eV.