Many devices being modelled can be

Many devices being modelled can be assumed to be unipolar, and this reduces the
degree of complexity. Consequently, we will only be concerned here with unipolar
modelling. Discussions of bipolar modelling can be found elsewhere (Graaff and
Klaassen 1990; Liou 1992; Tsai et al. 2002). Again, we will only be concerned with
one level of carrier, and not consider carriers in multivalley structures (Blotekjaer
1970; Cheng and Chennupati 1995; Sandborn et al. 1989).

Kết quả (Việt) 1:

Nhiều thiết bị được mô hình có thể được giả định là unipolar, và điều này làm giảm cácmức độ phức tạp. Do đó, chúng tôi sẽ chỉ được quan tâm ở đây với unipolarMô hình. Thảo luận về mô hình lưỡng cực có thể được tìm thấy ở nơi khác (Graaff vàKlaassen năm 1990; Liou 1992; Tsai ctv. 2002). Một lần nữa, chúng tôi sẽ chỉ được quan tâmmột cấp lớp tàu sân bay và không xem xét các tàu sân bay trong các multivalley cấu trúc (Blotekjaernăm 1970; Cheng và Chennupati năm 1995; Sandborn et al. 1989).

Kết quả (Việt) 2:

Nhiều thiết bị được mô hình có thể được giả định là đơn cực, và điều này làm giảm
mức độ phức tạp. Do đó, chúng tôi sẽ chỉ được quan tâm ở đây với đơn cực
mô hình. Thảo luận về mô hình lưỡng cực có thể được tìm thấy ở nơi khác (Graaff và
Klaassen 1990; Liou 1992;. Tsai et al 2002). Một lần nữa, chúng ta sẽ chỉ có liên quan với
một mức độ vận chuyển, và không xem xét các tàu sân bay trong các cấu trúc multivalley (Blotekjaer
1970; Cheng và Chennupati 1995; sandborn et al 1989.).