Forward recovery is caused by the l

Forward recovery is caused by the lack of minority carriers
in the rectifier p-n junction during diode turn-on. At the
instant a forward bias is applied, there are no carriers
present at the junction. This means that at the start of
conduction, the diode impedance is high, and an initial
forward voltage overshoot will occur. As the current flows
and charge builds up, conductivity modulation (minority
carrier injection) takes place. The impedance of the rectifier
falls and hence, the forward voltage drop falls rapidly back
to the steady state value.
The peak value of the forward voltage is known as the
forward recovery voltage, Vfrm. The time from the forward
current reaching 10% of the steady state value to the time
the forward voltage falls to within 10% of the final steady
state value is known as the forward recovery time (Fig. 16).
The magnitude and duration of the forward recovery is
normally dependent upon the device and the way it is
commutated in the circuit. High voltage devices will produce
larger Vfrm values, since the base width and resistivity
(impedance) is greater.
The main operating conditions which affect Vfr are:-
• If; high forward current, which produces higher Vfr.
• Current rise time, tr; a fast rise time produces higher Vfr.
Effects on s.m.p.s.
The rate of rise in forward current in the diode is normally
controlled by the switching speed of the power transistor.
When the transistor is turned off, the voltage across it rises,
and the reverse voltage bias across the associated rectifier
falls. Once the diode becomes forward biased there is a
delay before conduction is observed. During this time, the
transistor voltage overshoots the d.c supply voltage while
it is still conducting a high current. This can result in the
failure of the transistor in extreme cases if the voltage
limiting value is exceeded. If not, it will simply add to the
transistor and diode dissipation. Waveforms showing this
effect are given in Fig. 17.

Kết quả (Việt) 2:

Phục hồi về phía trước là do thiếu các tàu sân bay thiểu số
ở ngã ba chỉnh lưu diode pn trong turn-on. Tại
một sự thiên vị về phía trước ngay lập tức được áp dụng, không có tàu sân bay
hiện nay ở ngã ba. Điều này có nghĩa rằng khi bắt đầu
dẫn, trở kháng diode là rất cao, và ban đầu
vượt qua điện áp chuyển tiếp sẽ xảy ra. Khi dòng điện
và phí xây dựng lên, điều chế dẫn (thiểu số
tàu sân bay tiêm) diễn ra. Trở kháng của chỉnh lưu
rơi và do đó, sự sụt giảm điện áp ra giảm nhanh trở lại
với giá trị trạng thái ổn định.
Giá trị đỉnh cao của điện áp chuyển tiếp được gọi là
điện áp phục hồi về phía trước, Vfrm. Thời gian từ phía trước
hiện đạt 10% giá trị trạng thái ổn định đến thời điểm
điện áp chuyển tiếp rơi xuống trong vòng 10% của thức ổn định
giá trị nhà nước được gọi là thời gian phục hồi về phía trước (Hình. 16).
Mức độ và thời gian của phục hồi phía trước là
bình thường phụ thuộc vào thiết bị và cách thức mà nó được
chuyển mạch trong mạch. Các thiết bị điện áp cao sẽ tạo ra
giá trị lớn hơn Vfrm, vì chiều rộng cơ sở và điện trở
. (trở kháng) lớn
Các điều kiện hoạt động chính làm ảnh hưởng đến VFR là: -
• Nếu; hiện tại về phía trước cao, trong đó sản xuất cao hơn VFR.
• thời gian tăng hiện tại, tr; một thời gian tăng nhanh sản xuất cao hơn VFR.
Tác dụng trên SMPS
Tỷ lệ gia tăng về phía trước hiện tại các diode thường được
điều khiển bởi tốc độ chuyển đổi của các bóng bán dẫn điện.
Khi các bóng bán dẫn được tắt, điện áp trên nó tăng lên,
và điện áp ngược thiên vị qua bộ chỉnh lưu gắn liền
rơi. Một khi các diode sẽ trở thành thiên vị về phía trước có một
sự chậm trễ trước khi dẫn được quan sát thấy. Trong thời gian này, các
bóng bán dẫn điện áp overshoots việc cung cấp điện áp dc trong khi
nó vẫn đang tiến hành hiện nay cao. Điều này có thể dẫn đến sự
thất bại của các bóng bán dẫn trong trường hợp nặng nếu điện áp
giá trị giới hạn bị vượt qua. Nếu không, nó sẽ chỉ đơn giản là thêm vào các
transistor và diode tản. Dạng sóng hiển thị này
có hiệu lực được đưa ra trong hình. 17.