DGS is realized by introduction of

DGS is realized by introduction of a topology etched in the ground plane of microstrip as shown on Fig.1 [9]. It disturbs the shielded current distribution depending on the shape and
dimension of the defect. The disturbance at the shielded current distribution will influence the input impedance and the current flow of the microstrip lines. The positions and lengths
of the dumbbell sections control the response and insertion loss of the designed device. DGS increases the effective values of dielectric constant of substrates (εeff) , thus, decreases the
wavelength and the overall length of the design.

Kết quả (Việt) 1:

KPDS được thực hiện bằng cách giới thiệu một topo khắc trên mặt phẳng mặt đất của microstrip như được hiển thị trên Fig.1 [9]. Nó xáo trộn phân phối hiện tại che chắn đúng mức tùy thuộc vào hình dạng vàKích thước của các khiếm khuyết. Xáo trộn tại phân phối hiện tại che chắn đúng mức sẽ ảnh hưởng đến trở kháng đầu vào và dòng chảy hiện tại của các dòng microstrip. Vị trí và độ dàidumbbell phần kiểm soát phản ứng và chèn rụng của thiết bị được thiết kế. KPDS tăng giá trị hiệu quả của lưỡng điện liên tục của chất (εeff), do đó, làm giảm cácbước sóng và chiều dài tổng thể của thiết kế.

Kết quả (Việt) 2:

DGS được thực hiện bằng cách giới thiệu của một topo khắc trong các máy bay mặt đất của microstrip như thể hiện trên hình 1 [9]. Nó làm rối loạn hiện nay phân phối được bảo vệ phụ thuộc vào hình dạng và
kích thước của khuyết tật. Sự rối loạn ở việc phân phối hiện che chắn sẽ ảnh hưởng đến trở kháng đầu vào và dòng chảy hiện tại của các dòng microstrip. Các vị trí và độ dài
của các phần quả tạ kiểm soát các phản ứng và chèn mất mát của thiết bị được thiết kế. DGS làm tăng giá trị hiệu quả của hằng số điện môi của chất nền (εeff), do đó, làm giảm
bước sóng và chiều dài tổng thể của thiết kế.