22 ◆ INTRODUCTION TO ELECTRONICS9.

22 ◆ INTRODUCTION TO ELECTRONICS
9. In a semiconductor crystal, the atoms are held together by (a) the interaction of valence electrons (b) forces of attraction (c) covalent bonds (d) answers (a), (b), and (c) 10. The atomic number of silicon is (a) 8 (b) 2 (c) 4 (d) 14 11. The atomic number of germanium is (a) 8 (b) 2 (c) 4 (d) 32 12. The valence shell in a silicon atom has the number designation of (a) 0 (b) 1 (c) 2 (d) 3 13. Each atom in a silicon crystal has (a) four valence electrons (b) four conduction electrons (c) eight valence electrons, four of its own and four shared (d) no valence electrons because all are shared with other atoms Section 1–3 14. Electron-hole pairs are produced by (a) recombination (b) thermal energy (c) ionization (d) doping 15. Recombination is when (a) an electron falls into a hole (b) a positive and a negative ion bond together (c) a valence electron becomes a conduction electron (d) a crystal is formed 16. The current in a semiconductor is produced by (a) electrons only (b) holes only (c) negative ions (d) both electrons and holes Section 1–4 17. In an intrinsic semiconductor, (a) there are no free electrons (b) the free electrons are thermally produced (c) there are only holes (d) there are as many electrons as there are holes (e) answers (b) and (d) 18. The process of adding an impurity to an intrinsic semiconductor is called (a) doping (b) recombination (c) atomic modification (d) ionization 19. A trivalent impurity is added to silicon to create (a) germanium (b) a p-type semiconductor (c) an n-type semiconductor (d) a depletion region 20. The purpose of a pentavalent impurity is to (a) reduce the conductivity of silicon (b) increase the number of holes (c) increase the number of free electrons (d) create minority carriers 21. The majority carriers in an n-type semiconductor are (a) holes (b) valence electrons (c) conduction electrons (d) protons 22. Holes in an n-type semiconductor are (a) minority carriers that are thermally produced (b) minority carriers that are produced by doping (c) majority carriers that are thermally produced (d) majority carriers that are produced by doping Section 1–5 23. A pn junction is formed by (a) the recombination of electrons and holes (b) ionization

Kết quả (Việt) 1:

22 ◆ GIỚI THIỆU VỀ CÁC THIẾT BỊ ĐIỆN TỬ9. In a semiconductor crystal, the atoms are held together by (a) the interaction of valence electrons (b) forces of attraction (c) covalent bonds (d) answers (a), (b), and (c) 10. The atomic number of silicon is (a) 8 (b) 2 (c) 4 (d) 14 11. The atomic number of germanium is (a) 8 (b) 2 (c) 4 (d) 32 12. The valence shell in a silicon atom has the number designation of (a) 0 (b) 1 (c) 2 (d) 3 13. Each atom in a silicon crystal has (a) four valence electrons (b) four conduction electrons (c) eight valence electrons, four of its own and four shared (d) no valence electrons because all are shared with other atoms Section 1–3 14. Electron-hole pairs are produced by (a) recombination (b) thermal energy (c) ionization (d) doping 15. Recombination is when (a) an electron falls into a hole (b) a positive and a negative ion bond together (c) a valence electron becomes a conduction electron (d) a crystal is formed 16. The current in a semiconductor is produced by (a) electrons only (b) holes only (c) negative ions (d) both electrons and holes Section 1–4 17. In an intrinsic semiconductor, (a) there are no free electrons (b) the free electrons are thermally produced (c) there are only holes (d) there are as many electrons as there are holes (e) answers (b) and (d) 18. The process of adding an impurity to an intrinsic semiconductor is called (a) doping (b) recombination (c) atomic modification (d) ionization 19. A trivalent impurity is added to silicon to create (a) germanium (b) a p-type semiconductor (c) an n-type semiconductor (d) a depletion region 20. The purpose of a pentavalent impurity is to (a) reduce the conductivity of silicon (b) increase the number of holes (c) increase the number of free electrons (d) create minority carriers 21. The majority carriers in an n-type semiconductor are (a) holes (b) valence electrons (c) conduction electrons (d) protons 22. Holes in an n-type semiconductor are (a) minority carriers that are thermally produced (b) minority carriers that are produced by doping (c) majority carriers that are thermally produced (d) majority carriers that are produced by doping Section 1–5 23. A pn junction is formed by (a) the recombination of electrons and holes (b) ionization

Kết quả (Việt) 2:

22 ◆ GIỚI THIỆU VỀ ĐIỆN TỬ
9. Trong một tinh thể bán dẫn, các nguyên tử liên kết với nhau bằng cách (a) sự tương tác của các electron hóa trị (b) lực hút (c) liên kết hóa trị (d) câu trả lời (a), (b) và (c) 10 nguyên tử số lượng silic là (a) 8 (b) 2 (c) 4 (d) 14 11. số nguyên tử của germanium là (a) 8 (b) 2 (c) 4 (d) 32 12. vỏ hóa trị trong một nguyên tử silicon có việc chỉ số (a) 0 (b) 1 (c) 2 (d) 3 13. Mỗi nguyên tử trong một tinh thể silicon có (a) bốn electron hóa trị (b) bốn electron dẫn (c) tám hóa trị electron, bốn của riêng nó và bốn chia sẻ (d) không có các electron hóa trị vì tất cả đều được chia sẻ với các nguyên tử khác Phần 1-3 14. cặp điện tử-lỗ được sản xuất bằng cách (a) (b) năng lượng nhiệt (c) ion hóa tái tổ hợp (d ) doping 15. Tái kết hợp là khi (a) một electron rơi vào một lỗ (b) một tích cực và một trái phiếu ion âm với nhau (c) một electron hóa trị trở thành một electron dẫn (d) một tinh thể được hình thành 16. hiện tại trong một bán dẫn được sản xuất bằng cách (a) các electron chỉ (b) lỗ chỉ (c) các ion âm (d) cả hai electron và lỗ Mục 1-4 17. Trong một chất bán dẫn nội tại, (a) không có các electron tự do (b) miễn phí electron được nhiệt được sản xuất (c) chỉ có lỗ (d) có bao nhiêu electron khi có những lỗ hổng (e) câu trả lời (b) và (d) 18. các quá trình thêm một tạp chất để một chất bán dẫn bên trong được gọi là (một ) doping (b) tái tổ hợp (c) Việc sửa đổi nguyên tử (d) ion hóa 19. một tạp chất hóa trị ba được thêm vào silicon để tạo ra (một) germanium (b) một loại p bán dẫn (c) một loại n bán dẫn (d) một cạn kiệt khu vực 20. mục đích của một tạp chất pentavalent là (a) giảm độ dẫn điện của silic (b) tăng số lượng các lỗ (c) tăng số lượng các electron tự do (d) tạo tàu sân thiểu số 21. các hãng đa số trong một n-loại chất bán dẫn là (a) lỗ (b) các electron hóa trị (c) các electron dẫn (d) proton 22. Holes trong một n-loại chất bán dẫn là (a) các tàu sân bay thiểu số được nhiệt được sản xuất (b) các tàu sân bay thiểu số được sản xuất bởi doping (c) hãng phần lớn được sản xuất nhiệt (d) hãng phần lớn được sản xuất bằng cách pha Mục 1-5 23. một giáp pn được hình thành bằng cách (a) sự tái tổ hợp của các electron và lỗ trống (b) ion hóa