Control of composition and doping o

Control of composition and doping of the growing structure at monolayer via computer controlled shutters
Growth rates are typically on the order of a few A°/s and the beams can be shuttered in a fraction of a second allowing nearly atomically abrupt transition from one material to another.)
Independent heating of material sources
RHEED (Reflection High Energy Electron Diffraction) for monitoring the growth of the crystal layers.

Kết quả (Việt) 1:

Kiểm soát của các thành phần và doping của cấu trúc phát triển tại monolayer thông qua máy tính kiểm soát cửa chớpTốc độ tăng trưởng thường trên thứ tự của một vài một/s ° và các dầm có thể được shuttered trong một phần nhỏ của một đột ngột gần atomically, chuyển đổi cho phép thứ hai từ một vật liệu khác.)Các sưởi ấm độc lập của nguồn nguyên liệuRHEED (sự phản ánh cao năng lượng nhiễu xạ điện tử) để theo dõi sự tăng trưởng của các lớp tinh thể.

Kết quả (Việt) 2:

Kiểm soát các thành phần và pha tạp của các cấu trúc phát triển ở lớp tế thông qua máy tính điều khiển cửa chớp
Tốc độ tăng trưởng thường vào thứ tự của một vài A ° / s và các dầm có thể bị đóng cửa trong một phần nhỏ của một phép chuyển đổi gần như nguyên tử đột ngột thứ hai từ một vật liệu để khác.)
sưởi ấm độc lập của nguồn nguyên liệu
RHEED (Reflection cao Energy Electron Diffraction) để theo dõi sự phát triển của các lớp tinh thể.