Figure 4 j STE coating on glass. a,

Figure 4 j STE coating on glass. a, Cross-sectional TEM image of the STE-coated glass sample. As shown in the inset, a nearly single-crystalline Bi:YIG film
was formed on the glass surface by spin-coating of the MOD solution and annealing. b, Simulated Bi:YIG lattice structure corresponding to the TEM image.
c, TE voltage generation from the 52mm2 STE-coated glass for 1T D3 K. The H-field dependence of V clearly shows SSE-induced TE conversion.

Kết quả (Việt) 1:

Hình 4 j STE sơn trên kính. a, hình ảnh Cross-sectional TEM của mẫu STE bọc thủy tinh. Như minh hoạ trong ghép, một bộ phim gần đơn tinh thể Bi:YIGđược thành lập trên bề mặt kính bởi spin-sơn của giải pháp MOD và tôi. b, cấu trúc lưới mô phỏng Bi:YIG tương ứng với hình ảnh TEM.c, TE điện áp thế hệ từ 2mm 2 5 STE bọc thủy tinh cho 1T D3 K. Phụ thuộc vào lĩnh vực H V rõ ràng cho thấy chuyển đổi gây ra SSE TE.

Kết quả (Việt) 2:

Hình sơn STE 4 j trên kính. một hình ảnh TEM cắt ngang của mẫu kính STE-tráng. Như thể hiện trong hình chữ nhật, một gần đơn tinh thể Bi: YIG phim
được hình thành trên bề mặt kính bằng spin-phủ của các giải pháp MOD và ủ. b, Simulated Bi:. YIG cấu trúc mạng tinh thể tương ứng với các hình ảnh
TEM? c, TE thế hệ điện áp từ 5 2mm2 STE bọc kính cho 1T D3 K. Sự phụ thuộc H-field của V cho thấy rõ ràng SSE gây ra chuyển đổi TE.