Today's deep submicron lithography

Today's deep submicron lithography requires deep UV light for quality inspectionSince ultraviolet photons are absorbed very close to the silicon surface, UV imagers must not have polysilicon, nitride or thick oxide layers that impede the absorption of UV photons. Modern UV imagers are hence backside thinned, most with only a very thin layer of AR coating on top of the silicon imaging surface.
Although backside thinning is now ubiquitous in mobile imagers, UV response is not. To achieve stable UV response, the imager surface requires specialty surface treatment, regardless of whether the imager is CMOS or CCD. Many backside thinned imagers developed for visible imaging have thick oxide layers that can discolor and absorb UV after extended UV exposure. Some backside thinned imagers have imaging surfaces that are passivated by a highly doped boron layer that extends too deep into the silicon epi, causing a large fraction of UV photogenerated electrons to be lost to recombination.
UV response and backside thinning are achievable in all line scan imagers, but not all area imagers. No global shutter area CCD can be backside thinned. The situation is better in CMOS area imagers, though still not without trade-offs. CMOS area imagers with rolling shutter can be backside thinned. Conventional CMOS global shutter area imagers have storage nodes in each pixel that need to be shielded when thinned, but only if these UV sensitive imagers will also be imaging in the visible. In backside thinned area imagers, it is not possible to effectively shield part of the pixel from incident illumination, without severely degrading the imager’s fill factor (the ratio of the light sensitive area to the total pixel area). There are other types of CMOS global shutter area imagers that do not have light sensitive storage nodes, but have higher noise, lower full well, rolling shutter, or a combination of these.
Time Delay and Integration Imagers
Aside from area and line scan imagers, there is another important type of imager. Time delay and integration (TDI) imagers are commonly used in machine vision and remote sensing and operate much like line scan imagers, except that a TDI has many, often hundreds, of lines. As the image of the object moves past each line, each line captures a snapshot of the object. TDIs are most useful when signals are very weak, since the multiple snapshots of the object are added together to create a stronger signal.

Kết quả (Việt) 1:

In thạch bản sâu submicron ngày nay đòi hỏi sâu UV ánh sáng cho chất lượng inspectionSince tia cực tím photon được hấp thu rất gần bề mặt silic, UV imagers không phải có polysilicon, nitrua hoặc lớp ôxít dày mà cản trở sự hấp thu của UV photon. Hiện đại UV imagers do đó là mặt sau mỏng, đặt với chỉ một lớp rất mỏng của AR lớp phủ trên đầu trang của bề mặt hình ảnh silic.Mặc dù mặt sau mỏng bây giờ là phổ biến trong điện thoại di động imagers, UV trả lời là không. Để đạt được ổn định UV phản ứng, bề mặt man hinh yêu cầu xử lý bề mặt đặc biệt, bất kể cho dù man hinh là CMOS hay CCD. Nhiều mặt sau mỏng imagers phát triển cho có thể nhìn thấy hình ảnh có lớp ôxít dày mà có thể mất màu và hấp thụ tia UV sau khi mở rộng UV tiếp xúc. Một số imagers mặt sau mỏng có bề mặt hình ảnh được passivated bởi một lớp cao sườn Bo kéo dài quá sâu vào epi silic, gây ra một phần lớn của các tia UV photogenerated điện tử phải bị mất để gen.UV phản ứng và mặt sau mỏng có thể đạt được ở tất cả dòng quét imagers, nhưng không phải tất cả khu vực imagers. Không có diện tích toàn cầu màn trập CCD có thể là mặt sau mỏng. Tình hình là tốt hơn trong CMOS tích imagers, mặc dù vẫn không phải không có thương mại-offs. CMOS tích imagers với cán màn trập có thể là mặt sau mỏng. Thông thường CMOS toàn cầu màn trập lá imagers có lí nút trong mỗi điểm ảnh mà cần phải được bảo vệ khi mỏng, nhưng chỉ khi các tia UV nhạy cảm imagers cũng sẽ hình ảnh trong các hiển thị. Ở mặt sau mỏng lá imagers, nó là không thể có hiệu quả che chắn một phần của điểm ảnh từ sự cố chiếu sáng, mà không bị giảm đi của man hinh điền vào yếu tố (tỷ lệ của khu vực nhạy cảm ánh sáng vào vùng tất cả điểm ảnh). Không có các loại CMOS toàn cầu màn trập lá imagers mà không có ánh sáng nhạy cảm lí nút, nhưng có tiếng ồn cao, thấp đầy đủ tốt, cán màn trập, hoặc một sự kết hợp của các.Thời gian trễ và hội nhập ImagersNgoài khu vực và dòng quét imagers, có là một loại quan trọng của man hinh. Thời gian chậm trễ và hội nhập (TDI) imagers thường được sử dụng trong máy tính tầm nhìn và cảm biến từ xa và hoạt động nhiều như dòng quét imagers, ngoại trừ rằng một TDI có nhiều, thường hàng trăm, của dòng. Như hình ảnh của các đối tượng di chuyển qua mỗi dòng, mỗi dòng chụp một ảnh chụp của đối tượng. TDIs là hữu ích nhất khi tín hiệu là rất yếu, kể từ khi các bức ảnh chụp nhiều của đối tượng được thêm vào với nhau để tạo ra một tín hiệu mạnh mẽ hơn.

Kết quả (Việt) 2:

Hôm nay của submicron khắc sâu đòi hỏi ánh sáng UV sâu sắc đối với chất lượng inspectionSince photon tia cực tím được hấp thu rất gần với bề mặt silicon, tạo ảnh UV không phải có polysilicon, nitride hoặc lớp oxit dày làm cản trở sự hấp thu các photon UV. Imagers UV hiện đại được vì mặt sau mỏng, hầu hết chỉ với một lớp rất mỏng của lớp phủ AR trên bề mặt hình ảnh silicon.
Mặc dù mặt sau mỏng hiện nay là phổ biến trong bộ tạo ảnh di động, phản ứng UV không. Để đạt được phản ứng UV ổn định, bề mặt hinh đòi hỏi xử lý bề mặt đặc biệt, bất kể hinh là CMOS hoặc CCD. Nhiều mặt sau mỏng imagers phát triển cho hình ảnh hiển thị có lớp oxit dày có thể mất màu và hấp thụ tia cực tím UV sau khi tiếp xúc kéo dài. Một số mặt sau mỏng tạo ảnh có bề mặt hình ảnh mà được thụ động bởi một lớp bo pha tạp cao mà kéo dài quá sâu vào các epi silicon, gây ra một lượng lớn tia cực tím photogenerated electron bị mất để tái tổ hợp.
phản ứng UV và mặt sau mỏng có thể đạt được trong tất cả các dòng quét tạo ảnh, nhưng không phải tất cả imagers khu vực. Không có khu vực chụp toàn cầu CCD có thể backside mỏng. Tình hình là tốt hơn trong CMOS khu vực, mặc dù vẫn không phải không có trade-offs. Imagers khu vực CMOS với màn trập lăn có thể được backside mỏng. Thông thường CMOS tạo ảnh chụp khu vực toàn cầu có nút lưu trữ trong mỗi điểm ảnh mà cần phải được che chắn khi chuốt, nhưng tạo ảnh nhạy cảm chỉ khi những tia cực tím cũng sẽ là hình ảnh trong nhìn thấy được. Trong backside mỏng imagers khu vực, nó không thể có hiệu quả che chắn một phần của các điểm ảnh từ nguồn chiếu sáng, mà không làm giảm yếu tố làm nặng của hinh (tỷ lệ giữa các khu vực nhạy cảm ánh sáng để tổng diện tích pixel). Có nhiều loại khác của CMOS tạo ảnh chụp khu vực toàn cầu mà không có ánh sáng nút lưu trữ nhạy cảm, nhưng có tiếng ồn cao hơn, cũng đầy đủ hơn, màn trập lăn, hoặc kết hợp các phương.
Thời gian trễ và Hội nhập Imagers
Ngoài khu vực và dòng quét tạo ảnh, còn có một loại quan trọng của hinh. Thời gian chậm trễ và hội nhập (TDI) tạo ảnh thường được sử dụng trong máy tầm nhìn và viễn thám và hoạt động cũng như tạo ảnh dòng quét, ngoại trừ một TDI có nhiều, thường là hàng trăm, của dòng. Như hình ảnh của các đối tượng di chuyển qua mỗi dòng, mỗi dòng ghi lại một bản chụp của các đối tượng. TDIs là hữu ích nhất khi tín hiệu rất yếu, vì nhiều bức ảnh chụp đối tượng được thêm vào với nhau để tạo ra một tín hiệu mạnh hơn.