A circular microstrip patch of radi

A circular microstrip patch of radius a and with a nonradiating zero-admittance wall has a dominant RF mode
whose resonant frequency is given by fro = ckl 0 '/(~TQ&),
where k l O ' = 1.84118 [ 2 9 ] . In this case the resonant wavelength in the dielectric is therefore Ado = 3.413 a. For the
case of a radiating circular patch, the wall admittance is
complex so that the resonant frequency becomes complex,
as discussed in [291. The real resonant frequency f r is therefore less than f r o . Fig. 20 illustrates the dependence of f r / f r ,
on the substrate electrical thickness for an edge-fed patch with
a substrate dielectric constant of 2.5. This calculated curve
is based on the validity of the wall admittance given in [ 291,
which is only approximate. As was previously mentioned,
slight errors in the wall susceptance lead to errors in the
computed resonant frequency. Thus the behavior illustrated
in Fig. 20 should be taken as simply illustrating the parametric dependence of the resonant frequency on substrate
thickness and patch radius, More accurate calculations can be made when, more accurate values of the wall susceptance
are made available. Fig. 2 1is a graph of the resonant resistance
versus substrate thickness for an edge-fed circular patch with
the same dielectric constant as in the previous figure; and it
shows that for the range of parameters listed, the resonant
resistance increases with both patch radius and substrate
thickness. The absolute accuracy of this curve is dependent
on how accurately the wall conductance is given by the
Re (Y,)in [ 2 9 ] . In an analogous fashion to (49) for a rectangular patch, it may be shown that for an inset-fed circular
patch the resonant resistance is related to Rrade for an edge fed patch by

Kết quả (Việt) 1:

Một miếng vá tròn microstrip bán kính một và với một bức tường zero-admittance nonradiating có một chế độ RF chi phốicó tần số cộng hưởng được đưa ra bởi fro = thoala 0 ' /(~TQ&),nơi k l O ' = 1.84118 [2 9]. Trong trường hợp này, các bước sóng cộng hưởng trong lưỡng điện do đó là Ado = 3.413 một. Cho cáctrường hợp của một miếng vá tròn bức xạ, admittance tường làphức tạp để tần số cộng hưởng trở nên phức tạp,như được thảo luận trong [291. Thực sự cộng hưởng tần số f r là do đó ít hơn f r o. Hình 20 minh hoạ sự phụ thuộc của f r / f r,vào độ dày điện bề mặt cho một miếng vá cho ăn cạnh vớimột bề mặt liên tục lưỡng điện 2,5. Đường cong tính nàyDựa trên tính hợp lệ của tường admittance được đưa ra trong [291,đó chỉ là gần đúng. Như đã đề cập trước đó,chút sai sót trong bức tường susceptance dẫn đến sai sót trong cáctính tần số cộng hưởng. Do đó hành vi mà minh họatrong hình 20 nên được dùng như là chỉ đơn giản là thể hiện sự phụ thuộc tham số của tần số cộng hưởng trên bề mặtđộ dày và bán kính vá, tính toán chính xác hơn có thể được thực hiện khi, các giá trị chính xác hơn của bức tường susceptanceđược làm sẵn có. Hình 2 1is một đồ thị của kháng chiến cộng hưởngso với bề mặt độ dày cho một miếng vá tròn cạnh cho ăn vớihằng số lưỡng điện tương tự như trong hình trước đó; và nócho thấy rằng cho phạm vi của tham số được liệt kê, các cộng hưởngtăng sức đề kháng với bán kính vá và bề mặtđộ dày. Độ chính xác tuyệt đối của đường cong này tuøy thuoäctrên làm thế nào chính xác bức tường dẫn được đưa ra bởi cácTái (Y,) trong [2 9]. Trong một thời trang tương tự (49) cho một bản vá hình chữ nhật, nó có thể được chỉ ra rằng cho một thông tư nuôi ghépbản vá kháng chiến cộng hưởng liên quan đến Rrade cho một cạnh ăn vá bởi

Kết quả (Việt) 2:

Một miếng vá microstrip tròn bán kính a, với một bức tường không CẤM nonradiating có một chế độ RF trội
mà cộng hưởng tần số được cho bởi fro = CKL 0 '/ (~ TQ &),
nơi kl O' = 1,84118 [2 9]. Trong trường hợp này, các bước sóng cộng hưởng điện môi do đó là Ado = 3,413 a. Đối với các
trường hợp một miếng vá tròn tỏa, các lối đi vào tường là
phức tạp sao cho tần số cộng hưởng trở nên phức tạp,
như đã thảo luận trong [291. Các thực fr tần số cộng hưởng là do đó ít hơn fro. Sung. 20 minh họa sự phụ thuộc của fr / fr,
vào độ dày điện chất nền cho một bản vá cạnh-fed với
một chất nền hằng số điện môi của 2,5. Đường cong tính toán này
dựa trên giá trị của nhận vào tường đưa ra trong [291,
mà chỉ là gần đúng. Như trước đây đã được đề cập,
sai sót nhỏ trong susceptance dẫn tường để sai sót trong
tính toán tần số cộng hưởng. Như vậy hành vi được minh họa
trong hình. 20 cần được thực hiện một cách đơn giản minh họa sự phụ thuộc tham số của tần số cộng hưởng trên chất nền
dày và bán kính vá, tính toán chính xác hơn có thể được thực hiện khi nào, giá trị chính xác hơn về các susceptance tường
được làm sẵn. Sung. 2 1is một đồ thị của các kháng cộng hưởng
so với bề dày cho một miếng vá tròn cạnh ăn với
hằng số điện môi tương tự như trong hình trên đó; và nó
cho thấy rằng đối với một loạt các thông số được liệt kê, cộng hưởng
sức đề kháng tăng lên cùng với cả hai bán kính vá và chất nền
dày. Sự chính xác tuyệt đối của đường cong này là phụ thuộc
vào cách chính xác độ dẫn tường được cho bởi
Re (Y,) trong [2 9]. Trong một thời trang tương tự (49) cho một miếng vá hình chữ nhật, nó có thể được hiển thị mà cho một thông tư inset ăn
vá các kháng cộng hưởng có liên quan đến Rrade cho một cạnh ăn miếng vá bằng