1-Available online at www.sciencedi

1-Available online at www.sciencedirect.com
SCII!N CI! @OIRI!CT'
Applied Surface Science 252 (200fi) 48R6---4R96
2- applied
surface science
www.elsevicr.corn/locate/apsusc
3- New PLAD apparatus and fabrication of epitaxial films
and junctions of functional materials: SiC, GaN,
ZnO, diamond and GMR layers
4- Hachizo Muto *, Takeshi Kusumori, Toshiyuki Nakamura,
Takashi Asano, Takahiro Hori
5 - Materials Research Institute for Sustainable Development, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST) ChI/1m,
2266-98 Shimo-Shidami, Moriyama-ku, Nagoya 463-8560, Japan
Received 3 May 2005; accepted IS July 2005
Available online 24 October 2005
6 - Abstract
7 -We have developed a new pulsed laser ablation-cleposition (PLAD) apparatus and techniques for fabricating films of high-temperature or functional materials
8- including two short-wavelength lasers: (a) a YAG 5th harmonic (213 nm) and (b) Raman-shifted lasers containing vacuum ultraviolet light
9- also involved are (c) a high-temperature heater with a maximum temperature of 1350 "C, (d) dual-target simultaneous ablation mechanics, and (e) hybrid PLAD using a pi co-second YAG laser combined with (c) and/or (e1).
10- Using the high-Theater, hetero-epitaxial films of 3C-, 2H- and 4H-SiC have been prepared on sapphire-c. In situ p-doping for GaN epitaxial films is achieved by simultaneous ablation of GaN and
Mg targets by (d) during film growth
11- Junctions such as pGaN (Mg-dopedj-filrn/n-Si'Clf 0 01) substrate and pGaN/n-Si(l 1 I) show good diode characteristics.

Kết quả (Việt) 1:

1 có sẵn trực tuyến tại www.sciencedirect.com SCII!N CI! @OIRI!CT' Áp dụng các bề mặt khoa học 252 (200fi) 48R6---4R96 2 - áp dụng bề mặt khoa học www.elsevicr.Corn/ xác định vị trí/apsusc 3 - mới PLAD bộ máy và sản xuất của bộ phim trải và cách liên kết của vật liệu chức năng: SiC, GaN, ZnO, kim cương và GMR lớp 4 - Hachizo Muto *, Takeshi Kusumori, Toshiyuki Nakamura, Takashi Asano, Takahiro Hori 5 - viện nghiên cứu vật liệu bền vững phát triển, Viện khoa học công nghiệp tiên tiến và công nghệ (AIST) từ chí / 1m, 2266-98 Shimo-Shidami, Moriyama-ku, Nagoya 463-8560, Nhật bản Nhận được 3 tháng 5 năm 2005; được chấp nhận IS tháng 7 năm 2005 Có sẵn trực tuyến 24 tháng 10 năm 2005 6 - tóm tắt7 - chúng tôi đã phát triển một bộ máy xung laser cắt bỏ-cleposition (PLAD) mới và kỹ thuật để chế tạo các bộ phim của vật liệu nhiệt độ cao hoặc chức năng8 - bao gồm cả hai bước sóng ngắn laser: (a) một YAG 5 điều hòa (213 nm) và (b) Raman-Shift laser có tia cực tím chân không9 - cũng tham gia là (c) một nóng nhiệt với một nhiệt độ tối đa của 1350 "C, cơ học (d) hai mục tiêu đồng thời ablation và (e) lai PLAD pi đồng thứ hai YAG laser sử dụng kết hợp với (c) và/hoặc (e1).10 - sử dụng những bộ phim cao-Theater, trải dị của 3 C-, 2 H và SiC 4H đã được chuẩn bị trên sapphire-c. Tại chỗ p-doping cho GaN trải phim đạt được bằng cách cắt bỏ đồng thời của GaN và Mục tiêu mg (d) trong phim tăng trưởng11 - nút như bề mặt pGaN (Mg-dopedj-filrn/n-Si'Clf 0 01) và pGaN/n-Si(l 1 I) Hiển thị đặc điểm tốt diode.