a b s t r a c tCdTe is the best sui

a b s t r a c t
CdTe is the best suited semiconductor for solar cells due to its band gap value 1.47 eV which is close to solar
spectrum, low sublimation temperature and high absorption coefficient in the range of solar spectrum. To
improve the photovoltaic performance of CdS/CdTe thin film solar cells, the CdS window layer is alloyed
with different concentration of ZnS to reduce the resistivity and increase the band gap values. The single
crystal CdTe based solar cell devices were prepared by vacuum evaporation method and have undergone
for different temperature at various illumination levels to enhance the cell efficiency. We have achieved
14.37% efficiency and increased short circuit current density and open circuit voltage by reducing series
resistance of the cell.
© 2015 Published by Elsevier Ltd.
This is an open access article under the CC BY-NC-ND license
(http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/).

Kết quả (Việt) 1:

một b s t r một t cCdTe là bán dẫn phù hợp tốt nhất cho các tế bào năng lượng mặt trời do ban nhạc khoảng cách của nó có giá trị 1,47 eV mà là gần với năng lượng mặt trờiquang phổ, thăng hoa thấp nhiệt độ và hệ số hấp thụ cao trong phạm vi của quang phổ năng lượng mặt trời. Đểcải thiện hiệu suất quang điện của đĩa CD/CdTe màng mỏng tế bào năng lượng mặt trời, các đĩa CD cửa sổ lớp hợp kimvới nồng độ khác nhau của ZnS để làm giảm điện trở suất và làm tăng giá trị khoảng cách của ban nhạc. Đĩa đơntinh thể CdTe dựa trên tế bào năng lượng mặt trời thiết bị đã được chuẩn bị bởi phương pháp hơi nước chân không và đã trải quacho các nhiệt độ khác nhau ở các cấp độ chiếu sáng để nâng cao hiệu quả của tế bào. Chúng tôi đã đạt được14.37% hiệu quả và tăng ngắn mạch mật độ hiện tại và mở điện áp mạch bằng cách giảm loạtkháng chiến của các tế bào.© 2015 xuất bản Elsevier Ltd.Đây là một bài viết mở truy cập theo giấy phép CC BY-NC-ND(http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/).

Kết quả (Việt) 2:

trừu tượng
CdTe là các chất bán dẫn phù hợp nhất cho các tế bào năng lượng mặt trời do ban nhạc có giá trị khoảng cách của nó 1,47 eV mà là gần mặt trời
quang phổ, nhiệt độ thăng hoa thấp và hệ số hấp thụ cao trong phạm vi của quang phổ mặt trời. Để
cải thiện hiệu suất quang điện của CdS / các tế bào năng lượng mặt trời màng mỏng CdTe, lớp cửa sổ CdS được tạo hợp kim
với nồng độ khác nhau của ZnS để giảm điện trở suất và tăng giá trị ban nhạc khoảng cách. Các đơn
các thiết bị di động năng lượng mặt trời CdTe tinh thể dựa được chuẩn bị bằng phương pháp bay hơi chân không và đã trải qua
cho nhiệt độ khác nhau ở mức độ chiếu sáng khác nhau để nâng cao hiệu suất pin. Chúng tôi đã đạt được
14,37% và tăng hiệu quả ngắn mạch mật độ dòng điện và điện áp hở mạch bằng cách giảm loạt
kháng của tế bào.
© 2015 đăng bởi Elsevier Ltd.
Đây là một bài báo truy cập mở theo CC BY-NC-ND giấy phép
(http: / /creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/).