2.6.3 MTCMOSPower consumption is ge

2.6.3 MTCMOS
Power consumption is generally expected to be proportional to the activity ratio Ract. However, we cannot rely on this expectation for our target Ract because static leakage current could become the dominant component of the power consumption. It will be very difficult to achieve the target Ract by using conventional CMOS circuit technologies. The target Ractand the target leakage level are shown in Figure 2.16 , where we again assume that power consumption during the active period is 50 mW. In some cases, a WT should have a kind of slow clock that continues to operate during standby, which could affect the standby power. However, slow clock circuits usually consist of a small number of gates, which can havea fair lysmall current consumptiono f 0.1μ A[17].Incontrast,themain circuits in WTs have a large number of gates because they must provide complicated functions. Consequently, their power leakage is large. In addition, the static leakage always increases by one or two orders of magnitude when the ambient temperature rises from room temperature to about 85°C [18] . Because outdoor

Kết quả (Việt) 1:

2.6.3 MTCMOSĐiện năng tiêu thụ thường dự kiến sẽ được tỷ lệ thuận với tỷ lệ hoạt động Ract. Tuy nhiên, chúng tôi không thể dựa vào mong đợi này cho chúng tôi mục tiêu Ract vì sự rò rỉ tĩnh hiện tại có thể trở thành các thành phần chi phối của điện năng tiêu thụ. Nó sẽ rất khó khăn để đạt được mục tiêu Ract bằng cách sử dụng thông thường CMOS mạch công nghệ. Mục tiêu Ractand mục tiêu rò rỉ cấp được hiển thị trong hình 2,16, nơi chúng tôi một lần nữa cho rằng tiêu thụ năng lượng trong thời gian hoạt động là 50 mW. Trong một số trường hợp, một WT nên có một loại đồng hồ chậm mà vẫn tiếp tục hoạt động trong chế độ chờ, mà có thể ảnh hưởng đến điện dự phòng. Tuy nhiên, đồng hồ chậm mạch thường bao gồm của một số ít các cửa, mà có thể có công bằng lysmall hiện tại consumptiono f 0.1μ A [17]. Incontrast, themain mạch ở WTs có một số lớn các cửa vì họ phải cung cấp chức năng phức tạp. Do đó, rò rỉ sức mạnh của họ là lớn. Ngoài ra, sự rò rỉ tĩnh luôn luôn tăng bởi một hoặc hai đơn đặt hàng của độ lớn khi nhiệt độ môi trường xung quanh tăng lên từ nhiệt độ phòng đến khoảng 85° C [18]. Bởi vì Hồ

Kết quả (Việt) 2:

2.6.3 MTCMOS
Công suất tiêu thụ thường được dự kiến sẽ có tỷ lệ cho Ract tỷ lệ hoạt động. Tuy nhiên, chúng ta không thể dựa trên sự mong đợi này cho mục tiêu của chúng tôi Ract vì tĩnh rò rỉ hiện nay có thể trở thành thành phần chủ đạo của điện năng tiêu thụ. Nó sẽ rất khó khăn để đạt được các mục tiêu Ract bằng cách sử dụng công nghệ mạch CMOS thông thường. Các mục tiêu Ractand mức độ rò rỉ mục tiêu được thể hiện trong hình 2.16, nơi mà người ta lại cho rằng điện năng tiêu thụ trong thời gian hoạt động là 50 mW. Trong một số trường hợp, một WT nên có một loại đồng hồ chậm mà vẫn tiếp tục hoạt động trong chế độ chờ, mà có thể ảnh hưởng đến điện dự phòng. Tuy nhiên, mạch đồng hồ chậm thường bao gồm một số lượng nhỏ các cửa, có thể havea công bằng lysmall consumptiono hiện f 0.1μ A [17] .Incontrast, mạch themain trong WTS có một số lượng lớn các cửa vì họ phải cung cấp các chức năng phức tạp. Do đó, rò rỉ điện của họ là lớn. Ngoài ra, sự rò rỉ tĩnh luôn tăng bởi một hoặc hai đơn đặt hàng của các cường độ khi nhiệt độ môi trường xung quanh tăng từ nhiệt độ phòng đến khoảng 85 ° C [18]. Bởi vì ngoài trời