a. Consider a dielectric crystal ma

a. Consider a dielectric crystal made up of layers of atoms, with rigid coupling between layers so that the motion of the atoms is restricted to the plane of the layer. Show that the phonon heat capacity in the Debye approximation in the low temperature limit is proportional to

Kết quả (Việt) 1:

a. Hãy xem xét một tinh thể cách điện tạo ra từ các lớp của các nguyên tử, với cứng khớp nối giữa lớp để chuyển động của các nguyên tử là giới hạn trong mặt phẳng của các lớp. Hiển thị khả năng nhiệt phonon ở xấp xỉ Debye trong giới hạn nhiệt độ thấp là tỷ lệ thuận với

Kết quả (Việt) 2:

a. Hãy xem xét một tinh thể điện môi tạo thành từ các lớp nguyên tử, với các khớp nối cứng nhắc giữa các lớp, do đó các chuyển động của các nguyên tử bị hạn chế với mặt phẳng của lớp. Cho thấy rằng nhiệt dung phonon trong xấp xỉ Debye trong giới hạn nhiệt độ thấp là tỷ lệ thuận với